半導體器件的可靠性

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半導體器件的可靠性范文第1篇

關鍵詞：貼片；半導體；可靠性；工作；研究

中圖分類號：TO306 文獻標識碼：A 文章編號：1006-8937（2014）2-0126-02

貼片半導體器件以其體積小、重量輕的特點，滿足了航天武器系統小型化的需求，逐漸被用來替代金屬或陶瓷封裝的分體式器件。隨著使用過程中暴露出的質量問題，貼片半導體器件的質量越來越受到各使用單位的關注，為確保貼片半導體器件的裝機質量，在裝機前剔除參數超差或有潛在工藝缺陷的器件，開展貼片半導體器件的可靠性工作研究很有必要。

1 貼片半導體器件的封裝形式

①貼片陶瓷半導體器件的封裝形式主要有：SMD-0.1、SMD-0.2、SMD-0.5、SMD-1、SMD-2、SOT-23C、UA、UB等。

②貼片玻璃半導體器件的封裝形式主要有：Mili-MELF（DO-213AA）、LL34/LL35等。

③貼片塑料半導體器件的封裝形式主要有：SMA（DO-214AC）、SMB（DO-214AA）、SMC（DO-214AB）、SOD123、SOD323、SOD523、SOT-23、SOT-223、SOT-89、TO-252、D2Pak、

SO-8等。

2 可靠性工作中遇到的問題及解決措施

2.1 高溫試驗后引腳氧化問題

貼片半導體器件的引腳在高溫環境下容易氧化變黑，影響器件的可焊性，建議參照PEM-INST-001取消了高溫貯存試驗項目，增加溫度循環試驗次數。

2.2 貼片半導體器件可靠性試驗中受機械應力引腳變形

問題

貼片半導體器件引腳短、薄、軟，受力極易變形，引腳變形后反復整形會導致引腳損傷或折斷，也會導致器件可焊裝降低，因此在檢測、篩選試驗過程中應采取以下措施：

①貯存及運輸過程中采取單個獨立包裝或編帶包裝，周轉中采用防靜電托盤單層存放，以防相互碰撞或擠壓導致引腳變形。

②取放器件應使用專用的鑷子或吸盤，避免用鑷子直接夾持器件引腳。

③應選擇適合器件尺寸的夾具，避免由于夾具尺寸與器件尺寸配合不當導致引腳受力扭曲變形；同樣的封裝外形，不同生產廠家、或同一廠家不同批次結構尺寸會不同，用相同夾具進行試驗會出現接觸不良或引腳變形，建議每次試驗前一定要進行裝夾檢查。

④每次裝夾以及試驗結束后應在放大鏡下進行外觀檢查，用專用工具對輕微變形的引腳進行矯形，并剔出引腳嚴重變形的器件。

2.3 功率老煉過應力問題

貼片半導體器件試驗夾具一般采用上下翻蓋的裝夾方式，這種裝夾方式存在散熱不良的問題。如果功率老煉試驗應力不當會導致器件過熱擊穿。

①整流、開關等普通二極管取1～1.5倍的額定正向電流，建議取器件的額定正向電流進行功率老煉；如殼溫過高時功率老煉的正向電流可取0.8倍的額定電流及以上。

②穩壓二極管取1～1.5倍的額定耗散功率，也有取最大穩壓電流IZM；建議取最大穩壓電流進行功率老煉。

③三極管的功率老煉條件取1倍的額定耗散功率；功率老煉過程中應監控器件殼溫，根據可靠性工作經驗，塑封小功率器件殼溫控制在55～70 ℃范圍內，陶瓷、玻璃封裝器件殼溫控制在80～90 ℃范圍內，如殼溫過高則建議參照GJB/Z 35-93《元器件降額準則》的要求，耗散功率可取0.75倍的額定功率及以上。

④高頻三極管的功率老煉試驗需定制專用老化板，在老煉回路中增加濾波電容器、電感器以防自激振蕩，否則試驗后會導致器件性能下降，甚至功能失效。

2.4 高溫反偏的應力條件

①高溫反偏試驗關鍵的應力條件為溫度、反向電壓和漏電流。

②普通器件的高溫反偏不存在任何風險，只要夾具接觸可靠即可，但肖特基二極管高溫反偏需引起高度重視，特別是貼片肖特基二極管的高溫反偏試驗，稍有不慎會導致批次性過熱擊穿。在進行肖特基二極管高溫反偏試驗時需采取以下措施：

第一，每個型號規格的器件進行試驗之前應先用樣片進行摸底試驗，肖特基二極管在溫度（一般取100 ℃）一定的情況下，根據器件的熱阻及試驗結果確定器件的試驗電壓，但最低不得小于0.5倍的額定反向直流工作電壓；

第二，每批次器件開始試驗之前，應先抽取2只樣品進行試驗，以掌握該批次器件的反向漏電流指標情況，計算設備的最大負載能力；

第三，當單個漏電流值大于5 mA時，建議控制每次試驗的數量，試驗數量過多，每路之間相互影響，極易導致器件擊穿。

3 結 語

貼片半導體器件由于受封裝外形、試驗夾具等諸多因素的影響，在開展可靠性工作研究中遇到了許多問題，通過多年的研究和技術公關，問題都迎刃而解，取得了一些成績，開發出一千多個型號規格的檢測、老煉程序，建成了貼片半導體器件可靠性保障能力，成為科工四院元器件可靠性分中心，也成為科技一院、科工二院、科工三院授權的元器件質量保證單位，為航天、航空、船舶、電子儀器等領域的產品提供了可靠性保障工作，為各行各業電子產品的可靠性做出了貢獻。

參考文獻：

[1]Alexander Teverovsky，Kusum Sahu，Henning Leidecker，

Darryl Lakins，“PEM-INST-001：Instructions for Plastic Encaps-

ulated Microcircuit（PEM）Selection， Screening，and Qualificati-

on.” NASA/TP-2003-212244.塑封微電路（PEM）選擇、篩選和鑒定指南[S]，2003年.

半導體器件的可靠性范文第2篇

關鍵詞：半導體封裝；封裝機器；裝備維護

引言

隨著我國經濟的發展，計算機技術也得到了巨大的發展。在計算機發展的過程中，半導體器件的發展具有重要的作用。在計算機剛發明的時候，其體積非常巨大，而如今的計算機越來越小，集成度越來越高，這主要就是歸功于半導體科技的不斷發展。半導體芯片的集成度不斷提高使計算機的處理功能越來越強，同時計算機的體積也越來越小。而在提高集成度這一環節中，半導體封裝技術具有重要的作用。從最初的封裝設備需要從國外引進，到如今自己能夠制造出先進的封裝設備，半導體封裝技術在國內取得了迅速的發展。本文將先介紹半導體封裝機器的相關概念和重要作用，再探討封裝機器的管理和維護工作。

1 半導體封裝機器概述和作用

1.1 半導體封裝機器概述

半導體器件是電子產品的重要組成部分，它在電子產品中起著信號控制和處理的作用。在半導體封裝的過程中可以分為以下幾步：

第一，進行劃片工作，對晶圓進行貼膜后，利用晶圓切割機器對晶圓進行切割，切割同時機器還具有自動清洗功能，以去除各種殘留的粉塵和硅渣，以避免影響產品的質量。第二，進行粘片工作，粘片時用銀漿將芯片進行粘貼，方便產品的散熱，并有良好的導電性。粘片機所使用的動力來自于壓縮空氣。第三，進行引線壓焊工作，目前比較先進的壓焊技術為超聲壓焊，它是利用壓焊機器的劈刀將焊接面和焊線進行摩擦，從而保證焊接面的光滑，順利完成焊接工作。第四，塑封工藝，首先要用排片機將壓焊好后的產品放到預熱臺上進行預熱，然后用包封機進行合模加壓，用高頻預熱機進行封料軟化，最后進行注塑后固化工作。第五，進行后固化工作，需要用專業的烘箱設備對塑封后的產品進行4個小時的加熱，使產品的性能更佳。第六，進行打標工作，需要利用激光打標機對產品進行標記的刻印。第七，進行電鍍，電鍍前需要用溢料機對產品進行溢料，然后對產品表面進行鍍錫工作。第八，進行切筋切斷工作，利用相關切斷設備將整條已經電鍍的產品進行切割。第九，測試包裝工作，將經過上述多道工序后的產品進行電性測試，自動區分合格品和不合格品。將測試合格后的產品進行封裝。

最初的封裝形式為三極管時代的插入式封裝，后面出現了表面貼裝式封裝，如今模塊封裝和系統封裝應用比較廣泛等。半導體封裝的相關機器有很多，根據封裝形式的不同，封裝機器也有很多種。

1.2 半導體封裝機器的作用

在半導體封裝過程中會用到很多的封裝機器，封裝機器的整體作用是完成整個半導體封裝的過程。而半導體封裝不僅要保護內部免受外界環境的影響，也要加強芯片內外的連接能力。綜合來說，封裝機器進行半導體封裝具有以下作用：

第一，對芯片進行物理保護。芯片是一個非常重要的部分，所以一旦受到損害，產生的后果非常嚴重。通過半導體封裝，芯片與外界得到了隔離，一方面可以避免空氣中的雜質對芯片進行腐蝕，另一方面也能夠避免溫度過高等產生應力而損壞芯片。

第二，實現電氣連接。根據功能的需求，利用封裝可以對電路板上的間距進行合理的調整，從而便于實際的安裝，保證電氣連接合理通暢。合理的封裝不僅可以降低相關的材料費用，而且還能保證芯片的高質量和可靠性。比如，合理的布線長度以及阻抗配比可以保證芯片的質量和效率。

第三，實現標準規格化。在半導體封裝時，需要確定封裝的尺寸、形狀以及長度間距等等，這不僅僅可以建立封裝的標準，而且能夠跟電路板等廠家進行配合，從而實現整個產品的標準化過程。

2 半導體封裝機器的維護

半導體封裝機器的可靠性在很大程度上決定著半導體產品的質量，所以封裝企業要做好封裝機器的質量和維護工作，保證封裝機器的正常運行。

半導體封裝機器雖然操作簡單，工作精度高，但這同時也決定了它的機械結構比較復雜，自動化的程度比較高，發生故障的概率以及解決成本更加高。半導體機器中具有機械系統、電氣系統以及軟件系統等等，在每個系統中也都存在著很多子系統。多個系統的相結合，設計不到位，就很容易降低封裝機器的可靠性。

為了加強半導體封裝機器的可靠性，就要從以下幾個方面加強工作。第一，加強工作人員素質的培養，讓工作人員在封裝過程中盡職盡責，盡量減少人為失誤造成機器故障。第二，提高封裝機器的可靠度，不斷將新技術融合到封裝機器上，比如自動故障診斷識別系統以及生產報告生產系統等等。第三，加強封裝機器的檢修工作，建立定時的檢查機制，實時監控封裝機器的運行情況，發現問題能夠及時的進行修理維護工作。

結語

半導體的迅速發展對電子計算機技術以及經濟的發展都具有重要作用，而半導體封裝機器的封裝環節在半導體器件中具有重要作用。本文介紹了半導體封裝機器的相關概念和重要作用，探討了封裝機器的管理和維護工作。

參考文獻

半導體器件的可靠性范文第3篇

[關鍵詞]變頻調速原；及變頻方案可靠性；分析

中圖分類號：TM921.5 文獻標識碼：A 文章編號：1009-914X（2015）03-0150-01

目前，變頻調節技術由于具有顯著的節能優勢而發展迅速，并得到了廣泛的應用。電機在采用變頻調速后，其調速范圍相對較廣寬，同時其平滑性相對較高，其機械特性也相對較硬，能夠有效實現實現軟啟動，有效降低對電網的沖擊和機械負載的沖擊，并能夠在實現顯著節能的同時，有效提升電機的使用壽命。

一、交流調速功率控制原理

從對功率控制角度進行分析，能夠得出如圖1所示的異步電動機功率模型圖。異步電動機在運轉過程中，定子從電源中吸收電功率P1，同時吸收無功功率勵磁，建立旋轉磁場，將P1轉化為電磁功率Pem，根據能量守恒原理可以得出異步機按定子電磁功率為：

Pem=P1-P1（P1表示定子輸入電功率，P1表示定子功率損失）

根據以上功率理論可知，有效控制機械功率PM是異步機調速的實質所在，即變頻調速原理為通過功率控制來實現其轉速的改變。由此可以推導出：電氣變頻調速包括電磁功率Pem和損耗功率P2兩種原理，所有變頻調速方法均基于這兩種原理。變頻調速的原理直接決定調速性能，盡管變頻調速時采用的方法不同，然而只要其調速原理相同，難么其調速性能必然一致。根據功率控制理論，以定子為控制對象、電磁功率為控制目的的變頻調速系統可以用圖2進行表示。

由公式Pem=P1-P1可以得出，為了對Pem進行高效控制，必須對定子的輸入功率P1進行有效控制。在電機運行過程中，P1可以用以下公式表示：

在公式中，電機客觀存在的負載轉矩直接決定了I1cosφ1，無法作為變頻調速的控制量，在變頻調速過程中無法改變電源相數，只能通過控制定子端電壓U1對P1進行有效控制，從而實現變頻調速。在異步電機運行過程中，定子有著產生電磁功率和旋轉主磁場的功能。在實際變頻調速過程中，僅僅通過調整定子端電壓能以實現高效率調速，單純對異步電機定子端電壓進行調整，會導致主磁通出現降低，破壞高效調速所遵守的φm=C原則，導致異步機損耗急劇增大，無法改變異步機的理想空載轉速，同時還會增大損耗功率和轉速降。

為了確保在改變U1時仍然滿足原則，變頻調速應當遵守φm=C以下電機學規律：

同時在調速過程中對電壓頻率f1進行控制，確保壓頻比U1/f1為常量。

由以上分析可以得出：基于定子的電磁功率控制是變頻調速的實質，通過調壓、變頻二元控制等方法實現變頻調速。

二、高壓變頻方案及其可靠性

小容量絕緣柵極型功率管（IGBT）具有較高的可靠性，無需進行串并聯，使得小功率變頻調速的可靠性相對較高。然而，高壓、大功率變頻調速的可靠性相對復雜。對于高壓變頻調速，目前國外半導體極限理論研究取得了一定進展，已研究出接近極限的二極管，該極限二極管的電壓仍然無法滿足直接6～10kV電源線安全使用的要求。下文就高壓變頻方案及其可靠性進行分析。

（一）高壓變頻方案

第一，變壓器變頻方案。變壓器調速方案包括如圖3所示的“高一低”和“高一低一高”變壓技術方案。在變壓器變頻方案中主要采用回避高壓來實現變頻。采用變壓器變頻方案需要大容量變壓器，使得變頻成本和損耗增高，同時也會增大增大電流，使得IGBT產生并聯均流問題。

第二，IGBT直接串聯變頻方案。該方案通過將高壓進行分解，有效降低各個IGBT器件的實際電壓，從而實現變頻。IGBT直接串聯變頻方案難以有效解決串聯均壓問題。

第三，多電平串聯變頻方案。該變頻方案有機結合了變壓器變頻方案和器件串聯方案結合。相比于變壓器變頻的“高一低一高”方案，其少一臺變壓器；相比于IGBT直接串聯方案能夠有效提高均壓可靠性。然而多電平串聯變頻方案未能有效有效避免增加變壓器產生的成本，同時也未能從根本上有效解決半導體器件串聯均壓問題。

（二）高壓變頻可靠性分析

第一，半導體串聯均壓和電流可靠性分析。均壓即是串聯器件的電壓平均分配率，電路中理想狀態下的均壓為各個串聯器件兩端電壓均相等且為總電壓的1/n。為實現理想狀態下的均壓，必須確保各個串聯電器的電參數完全相同，然而半導體器件存在離散性，難以實現理想狀態下的完全均壓，最多能達到近似均壓，尤其是可控器件實現均壓的技術難度最大，其效果也最差。串聯的不均壓直接降低了承擔電壓高的器件可靠性，一些串聯器件甚至被擊穿，并引發一系列的連鎖反應，使得串聯器件全部受到損壞。串聯系統變頻可靠性取決于n個串聯器件可靠性之積，串聯元件越多，串聯系統的可靠性相對越低。對于冗余設計的串聯電路，其各個串聯元件之間相互分擔電壓，使得冗余的從元件能夠有效改善主元件電壓可靠性，但值得一提的是，串聯系統中任何一個元件開路性失效均會使得串聯系統開路。串聯數量增多會降低串聯系統的電流可靠性，尤其是在電流源型的電路中，電器元件開路會出現嚴重的過電壓，擊穿元件，影響串聯系統的可靠性。

第二，半導體并聯均流和電壓可靠性分析。均流即是并聯電路的電流平均分配率，并聯系統變頻可靠性取決于n個并聯器件可靠性之積，在并聯系統中任何元件電壓擊穿均會破壞均會聯系統的電壓可靠性，尤其是電壓源型電路，任何元件擊穿都將導致并聯系統出現短路。

第三，多電平串聯變頻可靠性分析。通常情況下，IGBT損壞尤其是IGBT被電壓擊穿是導致多電平串聯變頻方案出現故障的主要原因，直接影響多電平串聯變頻效果。一方面，IGBT的芯片結構存在問題，使得多電平串聯變頻方案中IGBT被擊穿。由于受生產工藝限制，IGBT的芯片pn結邊緣處幾乎呈直角形，缺乏像晶閘管的斜坡，使得器件耐過電壓能力降低，承受過壓時間的縮短，使得IGBT被電壓擊穿。另一方面，串聯單元動態開、關特性不一致，使得各單元瞬時0電壓存在不均勻顯現，導致IGBT被電壓擊穿，從而影響多電平串聯變頻可靠性。

結束語

本文在分析基于功率控制的變頻調速原理的基礎上，得出基于定子的電磁功率控制是變頻調速的實質，通過對變壓器方案、IGBT直接串聯以及多電平串聯方案結構、優勢及可靠性研究，得出采用IGBT變流器件的變頻調速無法滿足電業為6～10Kv的高壓變速調頻的安全要求。

參考資料

[1] 胡海平.小議變頻調速原理在恒壓供水系統中的應用[J].致富時代：下半月，2011，（9）：210-210.

[2] 何惠明，楊曉洲，肖紅等.刮板輸送機用隔爆型變頻調速三相異步電動機設計[J].中國工程科學，2012，（2）：59-68，106.

[3] 張建會.應用PLC實現電機的變頻調速和遠程控制研究[J].科技資訊，2013，（12）：128.

[4] 馬鴻文.交流電機磁場定向矢量控制調速原理教學實踐[J].實驗室科學，2013，16（5）：25-28.

半導體器件的可靠性范文第4篇

【關鍵詞】微電子專業實驗 教學改革

【中圖分類號】G424 【文獻標識碼】A 【文章編號】1006-5962（2013）02（a）-0019-01

引言：

微電子學是一門發展極為迅速的學科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微電子學發展的方向?，F代社會是一個信息社會，信息技術發展的方向是多智能化、網絡化和個體化。要求系統獲取和存儲海量的多媒體信息、以極高速度精確可靠的處理和傳輸這些信息并及時地把有用信息顯示出來或用于控制。所有這些都只能依賴于微電子技術的支撐才能成為現實。超高容量、超小型、超高速、超高頻、超低功耗是信息技術無止境追求的目標，是微電子技術迅速發展的動力。

目前我國的微電子行業領域正以日新月異的速度高速向前發展，但是微電子專業學生往往理論強于實踐，成為制約我國微電子行業發展的最大障礙。為了培養出合格的微電子專業畢業生，在微電子教學過程中必須理論和實踐并重。

我們在結合我校多年微電子專業實驗教學的實踐工作以及目前微電子行業的現狀和前景，提出了在本科階段微電子專業實驗改革實驗內容――抓好兩大平臺建設；革新實驗課程教學體系的新思路――因人而宜，因材施教，學生為主，教師為輔。

微電子專業實驗改革實驗內容：

在實驗改革中主要分成兩大主要平臺：集成電路設計平臺和集成電路測試平臺。

集成電路設計平臺：

實驗室是開展研究性教學、培養和提高學生創新能力的重要陣地。微電子實驗所涉及的一些必要的實驗裝備往往價格不菲，而一些綜合性、設計性、研究探索性實驗以及課程綜合設計所需要的系統級先進設備和測試儀表更是價格驚人，在本科教學實驗室中根本無法配置。為了解決這一矛盾，我們在實驗室建設中引進先進的EDA軟件，包括ECAD和TCAD軟件構建集成電路設計模塊。在這個模塊中學生可以完成（1）數字IC和模擬IC的設計：進行數字集成電路、模擬集成電路和片上系統SoC的設計實驗；（2）可以完成版圖設計：進行數字集成電路版圖設計、模擬集成電路版圖設計；（3）還可以完成器件和工藝設計：進行微電子器件、納電子器件和光電子器件的結構設計、性能仿真、工藝設計、參數優化和虛擬制造的實驗。利用這些軟件學生不僅可以完成一些過去因條件限制根本無法完成的綜合性、設計性實驗和課程設計，更主要的是學生在開展科技創新訓練和復雜程度高的系統級畢業設計中，可以首先利用這些軟件平臺進行設計、仿真分析、反復修改，在獲得正確設計和初步結果后再利用實驗設備和測試儀器進行實驗驗證。這樣做不僅減少了研究工作和實驗工作的盲目性，而且降低了運行成本和設備維修率，提高了設備利用率。

集成電路測試平臺：

該平臺是針對微電子技術本科專業中關于半導體器件物理、固體電子導論、微電子器件設計、半導體基礎實驗、集成電路測試等課程的教學要求，完成以下幾個模塊設計實驗：（1）半導體材料測試模塊。通過四探針測試儀（包括電腦、軟件）、導電類型鑒別儀、半導體霍爾效應測試儀和少子壽命測試儀可進行半導體材料（硅片）的導電類型、電阻率、電導率和少子壽命測試等實驗和研究。（2）半導體器件測試模塊。通過晶體管特性測試測試儀、數字萬用表、半導體特性分析儀和CV特性測試儀可進行二極管、NPN、PNP、MIS和MOS晶體管的特性測試和參數提取的實驗和研究。（3）IC在晶圓測試模塊。通過STl03A手動探針臺、數字示波器和邏輯分析儀可進行集成電路和半導體器件性能的在晶圓測試的實驗和研究。（4）版圖分析與電路提取模塊，利用大平臺顯微鏡、計算機和數字攝像頭可進行集成電路的版圖分析、圖形測量和電路提取實驗和研究。

微電子專業實驗課程新教學體系：

為了培養高素質的、有創新能力的、符合新時代要求的學生，我們制定了新的微電子教學實驗大綱。新大綱具有以下特點：（一）內容覆蓋范圍廣，包括大部分微電子專業課程內容：半導體器件物理、固體物理、集成電路版圖和工藝設計、集成電路CAD和微電子器件等等；（二）對實驗者水平要求更高，編排結構更合理。大部分實驗包含基本驗證性和綜合分析性，要求學生掌握扎實的基本知識，突出對學生能力培養和素質教育；（三）大綱規定了必做實驗和選做實驗兩種類型實驗，必做類型要求所有學生都要完成，而選做實驗主要是針對部分學生開設的能力提高型實驗，做到“因人而宜，因材施教”。

與此同時，根據大綱的修訂，我們對《微電子專業實驗》講義進行了重新編排，以了解新知識，掌握新技能，培養新能力為重點。通過大綱和講義的修訂和編排都為微電子專業實驗的教學改革奠定了基礎。

半導體器件的可靠性范文第5篇

光電產業園是以光電子、電聲科技企業為主的研發生產基地，實施研發孵化-加速成果轉化-產業化的三級跟進式培育，提供金融超市、技術交易市場、檢測中心、品牌營銷管理等全方位服務，有效促進了企業的快速發展和壯大，極大地推動了企業核心競爭力的快速提升。到2015年，園區可實現產值1000億元、利稅250億元，成為國內領先的光電子產品研發生產制造基地。光電產業園通過強化科技、質量、金融、人才支撐，實施了孵化器、加速器、產業化基地的三級跟進式培育，加快金融超市、融智平臺、技術交易市場、檢測中心等全方位的服務，促進企業的生成、發展和壯大，提升了園區功能。

據了解，在高新區光電園投資7000余萬元建設的國家級半導體器件質量監督檢驗濰坊中心設有工藝驗證、LED器件檢測等10多個實驗室，可為入園企業提供“當地生產、當地檢測、當地認證”的一條龍服務。作為國家級權威性檢測機構，檢測中心組建起以中科院院士、海外歸國博士為代表的研發團隊，可提供芯片、半導體器件、LED產品可靠性試驗等第三方檢測和研發服務，減少了企業檢測費用，縮短了產品認證周期，有效增強了光電產業競爭力，并輻射帶動省內半導體產業的發展。

目前，光電園聚集企業126家，其中規模以上企業26家，2011年實現園區主營業務收入120億元，形成了以浪潮華光、歌爾集團、中微光電子等一批骨干企業為代表的半導體產業鏈，產品面向蘋果、索尼、微軟等國際品牌，成為國內外重要的光電子產品研發制造基地。十二五期間，產業集群將新增投入500多億元，新建續建100個重點項目，培育科技型中小企業400多家，打造30多家過10億元企業，形成千億級光電產業集群。