化學機械拋光技術

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化學機械拋光技術范文第1篇

關鍵詞：晶圓拋光霧 Haze目檢表現 Haze分級 CMP工藝

中圖分類號：TN3 文獻標識碼：A 文章編號：1007-3973（2012）002-046-02

1 引言

隨著 IC圖形特征線寬向更小方向的迅速發(fā)展，對晶圓襯底的表面質量要求越來越高。晶圓拋光霧是高質量拋光的重要參數之一，尤其是對晶圓精拋質量的評價更加重要。化學機械拋光工藝一直是晶圓表面平坦化的主流方法，并且已經被整合到整個半導體和集成電路制造中。CMP技術是將機械摩擦和化學腐蝕相結合的工藝，同時兼收了二者的優(yōu)點，可以獲得比較完美的晶片表面。

2 Haze簡介

晶圓拋光霧指拋光后在晶圓表面留下的密度為105/cm2微淺損傷缺陷，該缺陷在強聚光燈照射下產生光的散射給人眼的感覺像霧。這些微淺損傷包括：高密度的凹坑、小丘和拉絲（也叫擦傷是指在經過嚴格清洗處理的拋光面上所見到的一些無規(guī)則的輕微劃痕）等，Haze在強火燈下的具體目檢表現為一種像燈絲發(fā)散狀的結構，其結構的清晰程度和粗細可表征晶圓表面亞損傷層的輕重；通常的Haze一般認為產生于精拋過程。

如果Haze在晶圓上分布不均，像只覆蓋部分硅片或是在整片區(qū)域中由重到輕則稱為taper haze。

Haze的顏色通常表現為白色、灰色或淡藍色。

2.1 Haze的分級

通常將其分為四個等級，即：

(1)級霧（no haze）

這種等級的Haze通常認為是無霧的，在強聚光燈的直射下晶圓表面幾乎看不到燈絲狀的放射結構；

(2)級霧（light haze）

在強聚光燈的直射下晶圓表面可依稀看到有燈絲狀的放射輪廓，但其結構細節(jié)不易看到；

(3)級霧（medium haze）

在強聚光燈的直射下晶圓表面燈絲狀的放射輪廓清析可見，長燈絲狀的結構細節(jié)也可以看到，但不太密集；

(4)級霧（heavy haze）

在強聚光燈的直射下晶圓表面可清析看到長燈絲狀的結構密集地交織于一個空心圓環(huán)。

2.2 不同級別Haze晶圓在金相顯微鏡DIC法下的表現

圖1 1級Haze顯微鏡下照片 圖2 2級Haze顯微鏡下照片

圖3 3級Haze顯微鏡下照片 圖4 4級Haze顯微鏡下照片

3 Haze的控制

Haze的形成機理為精拋過程不充分，精拋后在晶圓表面留下的微淺損傷缺陷導致。具體原因有：精拋墊種類和質量的影響；精拋液種類及配制的影響；精拋工藝參數設置不合理，如壓力、時間、拋光機大盤及壓頭相對轉速、拋光溫度、拋光液和純水流量等設置不當。當然除了精拋不充分外，還有一些其他因素也可導致晶圓表面有霧狀缺陷，如拋光后化學清洗液的輕微蝕刻、與空氣接觸后中在表面形成的化學薄膜等，但其細節(jié)表現與Haze表現不同，查找缺陷原因時需注意。

3.1 精拋墊的影響

(1)精拋墊壽命的影響

拋光過程中，拋光墊有貯存、輸送拋光液到加工區(qū)域、除去拋光過程產生的殘留物質、傳遞材料去除所需的機械載荷、維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境等功能。在拋光墊使用壽命的中后期，拋光過程中的機械作用與化學作用會同時降低（機械作用降低速率比化學作用降低速率要慢）。拋光速率也將慢慢降低，機械作用與化學作用逐漸失衡，這導致haze程度隨拋光墊使用時間的延長而升高，在生產過程中選擇合適的拋光墊壽命，確保晶圓 CMP的質量。

(2)精拋墊種類的影響

不同種類的精拋墊其細節(jié)結構、使用壽命通常不同，在使用的過程中表現也不一樣，因此在生產中引入新種類拋光墊時要做充分的試驗評價，在保證Haze正常的情況下，其他表現也要同時評估，如顆粒水平、OISF劃道等。

(3)精拋墊過保質期

若使用已過保質期的拋光墊很快就會像上述3.1.（1）中情況一樣產生haze。

(4)在制備或存儲過程受到石油或表面活性劑的污染等。

3.2 精拋光液的影響

不同種類的拋光液粘度、活性、PH值等不同，從而拋光工藝參數設置也不相同。精拋液配制比例不正確導致的化學腐蝕過快或過慢也會引起haze的產生。

3.3 精拋工藝參數的影響

(1)壓力控制

精拋過程的去除量非常小，壓力過大或過小都會致使霧的產生或加重，壓力的設置需根據具體的拋光設備及所用原材料在生產中開展一系列試驗，調試出合適的壓力，通常壓力的設置不易過高，如單位面積上晶圓承壓在120g/cm2左右。

(2)相對轉速控制

拋光機大盤及壓頭轉速對haze有著重要的影響，其直接影響拋光過程中的溫度。精拋是恒溫拋光的過程，轉速的設置在很大程度上決定了要達到合適溫度的時間及精拋的充分性；同時還要保證大盤轉速與壓頭轉速的協調，若此項失配則會引起taper haze；對于多頭拋光設備通常溫度設置在30-35℃之間。

(3)流量控制

精拋過程中拋光液為一次性使用，拋光液流量通?？刂瓶删鶆蚍稚⒌綊伖鈮|上即可；但不能太小，流量太小會增大機械磨擦，由此引起的溫度分布不均會產生其他質量問題。

(4)時間控制

供給拋光液階段，在其他狀況正常的情況下，延長高壓段拋光液拋光時間可減輕或消除haze；水拋階段，在其他狀況正常的情況下縮短或取消水拋光時間可明顯的減輕或消除haze。

4 結論

綜上所述，CMP精拋過程中有效控制和消除消除晶圓Haze，在保證高質量的拋光墊和拋光液的前提下，選擇合適的拋光工藝是非常重要的。

參考文獻：

化學機械拋光技術范文第2篇

【關鍵詞】整體葉盤；機器人；自動化拋光

整體葉盤技術在20世紀80年代第一次出現，當時的整體葉盤技術主要是用于將發(fā)動機的葉片進行整合，對于一些結構復雜、操作性差的機器具有良好的應用效果。當前我國對整體葉盤的加工主要有數字加工和手工加工兩種模式。這兩種方式在加工效率和質量上都難以有良好的保障，尤其是手工加工的方式下，加工人員需要長期在惡劣的工作環(huán)境中進行工作，并且故障的發(fā)生率極高，不光給企業(yè)造成了經濟損失，甚至會威脅到加工人員的生命安全。機器人的自動拋光技術較好的解決了這些問題。

1.整體葉盤的結構特性

與傳統的葉盤結構相比，整體葉盤在結構的整體性上有了明顯的提高。在整體葉盤結構中省去了榫頭、榫槽等部件，較少了氣流在榫頭上的損失，同時還減輕了整體葉盤的重量。此外，在整體葉盤的結構上采用的是窄流道的布局方式，能夠有效的提高氣體的流動性，但這也給整體葉盤的拋光帶來了一定的難度，主要體現在以下幾個方面。

首先，在整體葉盤中盤體的結構通常是錐型的，從而導致重量分布不均勻，通道較窄，可使用的模具類型十分有限，在加工的過程中還容易對葉盤產生損害。

第二，整體葉盤的葉片較薄，延展性大，但強度差，一旦受到外力作用容易發(fā)生形變甚至斷裂的現象，并且拋光的程度難以控制，在拋光的過程中容易產生拋光過度的現象。

第三，由于整體葉盤的葉盤結構較為復雜，在數據計算的過程中容易產生誤差，另外，拋光設備的使用、夾具的使用、機床的操作過程等都容易使數據發(fā)生偏差，從而導致最終的成品不符合加工要求。

第四，整體葉盤的排氣口在兩邊，并且在橫截面積上較小，在形狀輪廓上也有較高的要求，在外力的作用下容易產生磨損或故障。

第五，在整體葉盤的拋光過程中主要采用的是球頭刀，容易對葉片產生不均勻的拋光效果，在表面的平整光滑度上難以達到要求。

2.機床設計要求

為了保證整體葉盤的功能實現及加工質量，在拋光工藝上要做到良好的把控，并在保證加工質量的前提下，盡量提高加工的經濟性。具體的設計要求有以下幾點：

2.1多軸聯動

整體葉盤結構中多曲面，在加工過程中采用多軸聯動的方式可以提高加工效率。在數控技術的不斷發(fā)展下，多軸聯動的加工方式已經基本實現，對于部分部件的加工甚至能夠達到五軸以上的聯動。多軸聯動的加工方式不僅能夠提高材料的利用效率，還能減少刀具對材料的影響。

2.2高精度

整體葉盤的拋光對于精度的要求較高，為此首先應當保證數據計算的精確性，其次在加工設備的選擇上也應盡量選擇穩(wěn)定性高、加工效率高的加工設備。當前我國的整體葉盤加工對于精度的要求已經達到了納米級別，并通過機床的有效調控得以實現。要保證加工表面具有良好的表面一致性，形成均勻的拋光紋路，必須使切觸點數量與加工表面外形很好地結合起來。

2.3自動化程度高

提高整體葉盤加工的自動化程度可以有效減少外部因素對加工效果的影響，此外還能有效提高加工的效率，降低加工成本，確保企業(yè)經濟效益。

3.關鍵零部件設計

3.1直線導軌

直線導軌是整體葉盤中重要的部件，在一定程度上直線導軌的質量將直接決定數控機床的功能。當前，我國在整體葉盤加工中使用的直線導軌主要是滾柱式的直線導軌。這種直線導軌強度大、穩(wěn)定性強、摩擦系數小、使用年限長，對于提高加工的精度和效率具有良好的效果。

3.2滾珠絲

滾珠絲的作用主要是將葉片的旋轉運動轉變?yōu)橹本€運動，因此滾珠絲是作為直線驅動設置在整體葉盤結構中的。滾珠絲可以提高數控機床的加工速率以及加工精度。選用傳動效率高、定位精度高、傳動可逆性、使用壽命長和同步性能好的內循環(huán)墊片預緊螺母式滾珠絲。

3.3柔性磨頭

柔性磨頭是實現葉盤表面拋光效果的關鍵環(huán)節(jié)。柔性磨頭通常由四個氣缸和四個傳感器構成。通過柔性磨頭的使用可以實現拋光磨具與工件間壓力數據的采集、傳送及調節(jié)。3個氣缸通過氣缸座安裝于電主軸套上，用來調節(jié)徑向的壓力，軸向氣缸安裝于拋光機構的頂部，用來調節(jié)軸向的。

3.4刀位點數據生成

拋光軌跡主要是指刀具切觸點的運行軌跡，要保證拋光紋路的均勻，就需要加工表面外形與使切觸點數量吻合，避免出現欠切或過切現象，從而提高加工效率。刀位點數據主要是指刀心點的刀軸矢量及坐標。具體公式為：

rt=rP+Rn

式中rt表示刀心的點矢；rP表示加工表面點P的點矢；R表示刀具半徑；n表示在P的處加工表面的法向矢量。

3.5切削行距的確定

在滿足設定的殘余高度下，合理的走刀行距應該是最大走刀行距，其與殘余高度和刀具半徑密切相關。由幾何關系表示為：

1=2

式中：lh表示切削行距；k表示加工表面沿著切削方向的法曲率。

4.數控拋光機總體控制方案設計

整體葉盤與傳統的葉盤相比薄度較大，能夠承受的拋光力度較小，為控制葉盤的加工效果，必須制定良好的控制方案。整體葉盤機器人自動化拋光系統由關節(jié)型機器人、拋光刀具、機器人控制器、高精度伺服工作臺、力傳感器、工業(yè)PC機等組成。在整體葉盤的控制系統中應當包括中心的控制計算機、數控設備、數據傳輸設備等。通過這些設備的應用可以實現對柔性磨頭的數字化控制，從而確保柔性磨頭能夠進行精確、規(guī)范的作業(yè)，此外這一控制系統的使用還實現了對加工效果的實時監(jiān)控，操作人員能夠根據加工的效果調整機器的運行和加工流程。

整體葉盤的外部造型也是控制的主要內容。在進行外部造成的加工前需要先通過計算機模擬葉片的截面曲線，在通過光順處理和放樣處理來確定加工的細節(jié)。內、外環(huán)實體的造型是先生成內、外環(huán)截面封閉曲線，再通過中心軸旋轉掃描而成。

5.結語

實現拋光刀具軌跡的自動生成，構建整體葉盤自動化拋光系統，利用工業(yè)機器人進行整體葉盤的自動化拋光，可以克服手工打磨的不足，提高拋光效率，完善整體葉盤表面質量。拋光機器人的控制是一個復雜工程，現在處于摸索階段，需要進一步完善，才能使本系統具有更強的控制能力。 [科]

【參考文獻】

[1]劉隨建，吳偉東.整體葉盤葉片光飾拋光試驗及發(fā)展應用探析[J].航空制造技術，2010（05）：84-86.

[2]任軍學，張定華，王增強等.整體葉盤數控加工技術研究[J].航空學報，2014（22）：205-208.

[3]王文理，王焱，王君等.航空發(fā)動機鈦合金焊接式整體葉盤數控銑削工藝及編程技術[J].航空制造技術，2011（25）：100-102.

化學機械拋光技術范文第3篇

【關鍵詞】微電子技術；發(fā)展歷程；發(fā)展趨勢

一、微電子技術概念分析

微電子學主要是對固體材料上微小型化電路、電路以及系統的電子學分支進行研究，對在固體材料中電子或者粒子運動的規(guī)律以及應用進行研究，并使信號處理功能得以實現，使電路的系統以及集成得以實現，具有較強的實用性。在現展中微電子技術是一種發(fā)展較快的技術，也是電子信息產業(yè)的心臟與基礎。微電子技術的發(fā)展使航天航空技術得到很大的推動，除此之外，通訊技術、網絡技術以及計算機技術都得到快速的發(fā)展。微電子技術的大力發(fā)展與廣泛的應用，掀起了一波電子戰(zhàn)、信息戰(zhàn)。在我們國家的國民經濟中，電子信息產業(yè)已成了支柱性的產業(yè)，微電子信息技術也受到高度的關注，具有非常重要的意義?，F在，對一個國家科學技術的進步以及綜合國力的衡量的重要標志就是微電子技術，微電子科學技術的快速發(fā)展以及產業(yè)的規(guī)模，也標志著一個國家的經濟實力。在微電子技術中，其重要的核心就是集成電路，也是電子工業(yè)的糧食。集成電路具有超大的規(guī)模以及可集成的水平，可以把電子系統集成在一個芯片上?？梢哉f微電子技術的發(fā)展與應用引來了全球第三次的工業(yè)革命。

二、微電子技術發(fā)展歷程分析

微電子技術是一門新興的技術，起源于十九世紀末，二十世紀初期，主要是隨著集成電路而發(fā)展起來的，主要包括器件物理、系統電路設計、材料制務、工藝技術以及自動測試，除此之外，還有組裝與封閉等一些專門的技術，也是微電子學中各個工藝技術的匯總。所以，微電子技術是通過電子電路以及系統的超小型化的過程一步步形成的，集成電路是其中的核心，也就是經過相應的加工工藝，把晶體管以及二極管等器件，根據相應的電路互換，再使用微細的加工工藝，在一塊半導體的單晶片上進行集成，并在一個外殼內進行封閉，對特定的電路或系統功能進行執(zhí)行。與傳統電子技術比較，主要的特點是電路以及器件的微小型化。它把電路系統設計以及制造的工藝進行了有效的結合，并大規(guī)模的進行批量生產，所以，成本比較低，并且具有較高的可靠性。

微電子產業(yè)經歷了六十多年的發(fā)展，技術已接近理論的極限。數十年以來，不斷縮小集成電路內的晶體管的尺寸以及線寬，其中改進光刻技術是基本的方法，短波長的曝光光源是使用最多的。以前，紫外光是主要的光源，現在主要運用深紫外線光刻技術，芯片線寬下降了很多，從理論上來講，主要是把集成電路的線寬進行相應的縮短。從二十世紀九十年代，摩托羅拉以及英特爾就開始對超紫外線光刻技術進行了研發(fā)，它突破了集成電路線寬的最小限制。但是，這種縮小的情況不能長久的持續(xù)下去，技術上以及物理上的限制也會對這種持續(xù)造成阻礙。晶體管的尺寸小到一定的范圍，就必須對電子的量子效應進行考慮。那個時候，現有的技術已經達到了極限。不但如此，隨著不斷提高的集成度的集成電路，芯片的生產成本也在不斷的提高。

三、微電子技術未來發(fā)展趨勢分析

第一，關于光刻技術，利用波長的光線形成亞微米尺寸的圖形，并做出集成度為1M位和4M位的DRAM。射線曝光設備研發(fā)出來以后，可以形成半微米尺寸以及深亞微米尺寸的圖形。如今，使用準分子激光器的光刻設備已開始進行使用，有四分之一的微米尺寸的圖形形成。波長較短的激光器的光刻設備的使用，在二十一世紀初期投入使用的機率是非常高的。為了這一目標得以實現，就要掩膜形成的技術以及光刻膠的材料進行開發(fā)。研制開發(fā)X射線光刻設備的工作，已進行了一段時間，無論是電子束曝光技術還是真空紫外線的曝光技術，也在全力的開發(fā)過程中，無論是哪一種技術都需要先投入實用，經過一段時間的驗證會成為下一個階段的主流技術。

第二，關于蝕刻技術，通過CER等離子源或具有高密度的等離子源，與具有特殊氣體以及靜電卡盤的技術進行有效的結合，就能使上述的電路蝕刻工藝的要求得到一定的滿足。

第三，關于擴散氧化技術，要想通過低成本來使晶體的質量得到有效的保證，就要使用外延生長的技術，主要理由是同在晶體制作上努力，才能使質量得到保證，才能使花費的成本與質量相對等，與外延生長的技術成本相比較低了很多。離子注入的技術水平得到快速的提升，可把電子伏特的高能量離子輸入晶體的內部，能達到幾微米的深度?，F在所用的氣體擴散的方法，必須要在高溫中進行長久的擴散雜質，才能有擴散層形成。但是現在離子注入技術的利用，可把雜質注入任意位置，經過低溫熱的處理之后，就能達到同樣的效果。

第四，關于多層布線的技術，銅的電阻小于鋁，但作為下一代的布線材料，深受人們的關注。美國的半導體工業(yè)協會在發(fā)展的規(guī)劃中就把銅代替鋁列入其中，并把相應的目標以及技術標準制定出來。銅布線主要使用鑲嵌的方法進行制作，通過化學機械拋光的技術進行相應的研究，通過半導體級的電鍍技術進行布線。銅很容易在絕緣膜中進行擴散，因此，在進行銅布線的時候，還要使用拋壘金屬技術，能對銅的擴散起到很好的預防作用。

第五，有關電容器材料，隨著不斷提高的集成度，電容器的材料，也就是氧化膜的厚變也發(fā)生了變化，進入九十年代以后，氮化硅膜技術得到不斷的改善，并對立體的電容器結構進行不斷的改用，可以對所需的電容值起到保證作用。然而，此技術已接過極限，以后還有可能使用現在未使用的新的材料，例如氧化鉭膜以及高電容率材料等。

四、結語

通過以上的論述可以總結，二十世紀的人類已進入了信息化發(fā)展的社會，對于微電子信息技術的要求也會越來越高，在二十一世紀，微電子技術也會是最具有活力，也是最重要的高科技領域之一，經過對微電子技術發(fā)展歷程的分析，以及未來發(fā)展趨勢的分析，可以看得出，微電子技術的快速發(fā)展一定會給社會的發(fā)展帶來非常深刻的意義。

參考文獻

[1] 畢克允.微電子技術[M].北京：國際工業(yè)出版社，2000.

化學機械拋光技術范文第4篇

一、研究目標與內容

專題一、先進制造

面向先進制造業(yè)，聚焦集成電路、數控裝備、海洋工程與交通運輸等領域，支持具有自主知識產權的關鍵技術和產業(yè)化技術的開發(fā)，實現相關產業(yè)核心技術的突破，提升自主創(chuàng)新能力和產業(yè)競爭力。

1、集成電路制造相關裝備及材料關鍵技術研究

研究目標：圍繞極大規(guī)模集成電路制造相關裝備和材料開展關鍵技術研究，掌握具有自主知識產權的核心技術，形成工藝裝備的研發(fā)應用能力和關鍵材料的批量生產能力，加快實現工藝裝備和關鍵材料的國產化。

研究內容：150mm硅片光學薄膜測量設備的研制與應用技術；前段單晶圓清洗設備的設計制造及清洗成套工藝技術；納米級精度定位的三軸平面電機的設計、制造、驅動控制技術及系統集成技術；基于SOI技術的高壓器件成套技術和高壓SOI晶片批量生產制備技術；年產千噸級的高純有機化學試劑生產工藝技術；65納米及以下ULSI用銅化學機械拋光液的中試生產工藝技術。

2、數字化裝備產品設計制造關鍵技術研究

研究目標：圍繞數控機床、紡織機械及高效壓縮機等高端數字化裝備產品的設計制造，開展旨在提高產品精度、效率和運行可靠性的關鍵技術研究，掌握具有自主知識產權的核心技術，提高數字化裝備產品的市場競爭能力。

研究內容：基于實時工業(yè)以太網及現場總線的中高檔數控系統和高性能數字化交流伺服驅動系統工程化開發(fā)技術研究，大型數控裝備遠程監(jiān)控、網絡化數據管理及大型復雜部件加工工藝研究；紡織產業(yè)用高性能噴氣織機及高速卷繞機的設計制造關鍵技術研究；全封閉二氧化碳熱泵壓縮機的設計優(yōu)化技術，壓縮機泵體和驅動電機的匹配技術研究。

3、軌道交通運輸裝備關鍵技術研究

研究目標：為適應軌道交通的發(fā)展需求，開發(fā)城市軌道交通智能控制系統、車載控制信號系統和車輛關鍵配套部件，實現批量化生產,并在實際工程得到應用。

研究內容：基于CBTC的車載控制系統設計與應用技術研究、車載通信設備的軟硬件研制和ATS系統設計與應用技術研究等；時速120公里的城市軌道交通B型車轉向架設計及制造技術研究；時速300公里的高速列車座椅骨架設計與制造技術研究。

4、深水半潛式鉆井平臺關鍵建造技術研究

研究目標：為加快海洋資源的開發(fā)利用，圍繞3000米深水半潛式鉆井平臺建造開展關鍵技術研究，掌握深水半潛式鉆井平臺的建造工藝和方法，形成自主建造深水半潛式平臺的技術能力。

研究內容：大型深水半潛式平臺的建造精度控制技術研究，高壓管線焊接技術研究，噪音預報與減振降噪技術研究等。

專題二、先進材料

面向航空、電力、化工、生物醫(yī)用等領域，開展民用飛機用材、高溫超導、新型催化劑、綠色精細化工材料和骨科材料的研制，實現高新技術領域關鍵材料的技術突破和產業(yè)化應用，推動材料向高端、綠色、節(jié)能方向發(fā)展，支撐經濟和社會的發(fā)展。

1、民用客機配套材料體系和工程化研究

研究目標：建立民用客機配套材料體系，制定工程化路線圖，形成飛機設計、材料選擇、零部件制造的產學研緊密合作機制;突破大直徑TC4鈦合金棒材制造和應用技術，滿足飛機結構件設計和制造要求。

研究內容：研究民用客機配套材料體系和工程化方案，協助相關企業(yè)和研發(fā)機構開展材料適航性認證；瞄準φ220～400mm的TC4鈦合金棒材的冶煉、鑄造、鍛造和熱處理等工藝過程，開展材料成份、組織與性能及工程化應用研究和適航性試驗研究。

2、高溫超導電纜系統及電力應用示范工程設計研究

研究目標：研制可工程化應用的低溫絕緣高溫超導電纜系統，通過電氣型式試驗；完成電力應用示范工程設計方案的研究；掌握適用于示范工程的百米長第二代高溫超導帶材連續(xù)化制備技術。

研究內容：高溫超導電纜導體、屏蔽、絕緣制造和連接技術的優(yōu)化研究；電纜系統的型式試驗、運行、監(jiān)控和維護技術；高溫超導電纜示范工程研究設計；第二代高溫超導帶材鍍膜工藝研究。

3、新型催化劑工業(yè)應用技術研究

研究目標：掌握適合于北星雙峰工藝聚乙烯催化劑的制備技術，形成連續(xù)、穩(wěn)定批量制備的能力，在25萬噸/年工藝裝置上實現國產催化劑的工業(yè)化應用；研制節(jié)能效果顯著的新一代甲苯歧化與烷基轉移催化劑，實現在大型對二甲苯（PX）生產裝置上的工業(yè)應用，單位產品節(jié)能10%、二甲苯產能增加5％以上。

研究內容：適合于北星雙峰工藝聚乙烯生產的新型催化劑國產化和工業(yè)化應用研究，包括催化劑的放大制備、小試和中試裝置上催化劑性能考評試驗；25萬噸/年工藝裝置工業(yè)化試驗研究；新型甲苯歧化催化劑工業(yè)放大與應用，包括催化劑制備工藝優(yōu)化和試生產技術研究；全流程反應工藝模擬計算和優(yōu)化研究；大型PX生產裝置上的工業(yè)化試驗。

4、高附加值綠色精細化工產品的產業(yè)化關鍵技術

研究目標：掌握汽車和皮革工業(yè)用無丙酮、無氣味水分散型聚氨酯批量生產技術，建設中試生產線；掌握高質量、低成本烷基糖苷(APG)的成套生產工藝技術，建設年產萬噸級“一步法”示范線；研制用于纖維板的綠色環(huán)保蛋白質改性膠粘劑，掌握50萬噸/年低成本、無甲醛中密度纖維板的工業(yè)化生產成套技術。

研究內容：重點開發(fā)環(huán)保節(jié)能型聚氨酯中試技術，包括樹脂制備、工藝優(yōu)化，多品種漿料配方及專用設備的研制；日化用新型綠色表面活性劑APG產業(yè)化關鍵技術，包括催化劑制備與優(yōu)化，專用生產裝置的設計，精細過濾技術；纖維板的綠色環(huán)保蛋白質膠粘劑產業(yè)化關鍵技術，包括膠粘劑的耐水性研究，纖維板制造工藝研究。

5、全氟離子膜產業(yè)化關鍵技術

研究目標：建立中試規(guī)模的工業(yè)用全氟離子膜、全氟磺酸樹脂、全氟羧酸樹脂生產線；離子膜通過用戶的應用考核。

研究內容：研究全氟磺酸樹脂、全氟羧酸樹脂合成路線、工程放大工藝；離子膜結構優(yōu)化與制膜工藝；離子膜成套生產裝備與工藝技術。

6、高性能陶瓷頭全髖假體的臨床應用與關鍵技術

研究目標：研制應用于臨床的耐磨損陶瓷頭全髖假體，掌握人工關節(jié)的低成本制備和加工技術，形成批量生產能力，取得臨床試用許可。

研究內容：高質量氧化鋁粉體的穩(wěn)定制備技術，陶瓷股骨頭成型、燒結和精密加工技術，陶瓷股骨頭的型式試驗和全髖關節(jié)的臨床試驗研究。

二、研究期限

*年9月30日前完成

三、申請條件

1、申報單位應具備較強技術實力和基礎，具備實施項目研究必備條件。企業(yè)牽頭項目應承諾不低于1：1的匹配資金。

2、申請項目必須有較好的前期研究基礎，鼓勵產學研聯合申請，多家單位聯合申請時，應在申請材料中明確各自承擔的工作和職責，并附上合作協議或合同。

3、國內外合作項目必須有合作協議或授權協議，涉及許可研究、專利等，申報時需附許可研究批件復印件、有關知識產權批件復印件等。

4、所有附件要求上傳到網上。

四、申請方式

1、本指南公開。凡符合課題制要求、有意承擔研究任務的在*注冊的法人、自然人均可以從“*科技”網站上進入“在線受理科研計劃項目可行性方案”，并下載相關表格《*市科學技術委員會科研計劃項目課題可行性方案（*版）》，按照要求認真填寫。

2、課題責任人年齡不限，鼓勵通過課題培養(yǎng)優(yōu)秀的中青年學術骨干。課題責任人和主要科研人員，同期參與承擔國家和地方科研項目數不得超過三項。

3、已申報今年市科委其它類別項目者應主動予以申明，未申明者按重復申報不予受理。

4、每一課題的申請人可以提出不超過2名的建議回避自己課題評審的同行專家名單（名單需隨課題可行性方案一并提交）。

5、本課題申請起始日期為*年6月12日，截止日期為*年7月3日。課題申報時需提交書面可行性方案一式4份，并通過“*科技”網站在線遞交電子文本1份。書面可行性方案集中受理時間為*年6月26日至7月3日，每個工作日上午9：00～下午4：30。所有書面文件請采用A4紙雙面印刷，普通紙質材料作為封面，不采用膠圈、文件夾等帶有突出棱邊的裝訂方式。

6、網上填報備注：

（1）登陸“*科技”網），進入網上辦事專欄；

（2）點擊《科研計劃項目課題可行性方案》受理并進入申報頁面：

-【初次填寫】轉入申報指南頁面，點擊“專題名稱”中相應的指南專題后開始申報項目（需要設置“項目名稱”、“依托單位”、“登錄密碼”）；

-【繼續(xù)填寫】輸入已申報的項目名稱、依托單位、密碼后繼續(xù)該項目的填報。