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      納米陶瓷性能探究

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      納米陶瓷性能探究

      兩步燒結(jié)對燒結(jié)性能的影響

      (1)第一步燒結(jié)溫度對燒結(jié)性能的影響

      本部分是研究在第二步燒結(jié)溫度為1850℃,保溫時間為60min,第一步燒結(jié)溫度分別升至1900℃和1850℃保溫15min,對SiC/納米SiB6陶瓷燒結(jié)性能的影響。圖1為第一步燒結(jié)溫度對SiC/納米SiB6陶瓷線收縮率、相對密度及失重率影響的關(guān)系曲線。從圖中可以看出,對所有試樣而言,隨著第一步燒結(jié)溫度升高50℃,失重率均有所提高,達2.0%左右;這可能是由于陶瓷中熔點相對較低的相隨溫度的升高,揮發(fā)量增大所致。而從線收縮率和相對密度的曲線來看,提高第一步的燒結(jié)溫度,使得添加納米SiB6顆粒的試樣線收縮率和相對密度均有所增大,而對于未添加納米顆粒的對照樣S0而言,卻使得線收縮率和相對密度均有所下降。究其原因,當(dāng)溫度直接升高到1900℃,S0還未來得及排除內(nèi)部的氣孔而陶瓷已經(jīng)開始燒結(jié),盡管顆粒會發(fā)生移動,但是已燒結(jié)的部分形成一個骨架,在第二步燒結(jié)溫度降至1850℃時,活化能降低,使得進一步致密變得困難。而添加納米SiB6顆粒的試樣在第一步溫度升高到1900℃后,整個陶瓷基體獲得了較高的活化能,顆粒擴散迅速,盡管在保溫15min后立即降至1850℃,微米SiC等顆?;钚越档停{米SiB6顆粒由于其顆粒粒徑較小,在較低的溫度下依然可以保持較高的活性,迅速地擴散,使得基體可以繼續(xù)收縮、燒結(jié),所以,隨著納米SiB6顆粒添加量的增加,線收縮率逐漸提高,從而使得相對密度也有所增加。兩者增加的比例不是完全對應(yīng),是由于相對密度不僅與線收縮率有關(guān),還涉及到整體的收縮以及失重率等其他方面的一些因素。

      (2)第二步燒結(jié)溫度對燒結(jié)性能的影響

      本部分是研究在第一步燒結(jié)溫度為1900℃,保溫時間為15min,第二步燒結(jié)溫度分別保持1900℃和降至1850℃保溫60min,對SiC/納米SiB6陶瓷燒結(jié)性能的影響。圖2即為第二步燒結(jié)溫度與SiC/納米SiB6陶瓷線收縮率、相對密度及失重率的關(guān)系曲線。從圖中可以看出,在保持總燒結(jié)時間為75min,第二步燒結(jié)溫度提高50℃的情況下,失重率略微增加,但不明顯,說明陶瓷中需揮發(fā)的物質(zhì)在前15min已經(jīng)分解消失;而空白對照樣S0和添加納米SiB6顆粒的試樣在線收縮率和相對密度的變化趨勢上又一次呈反向。隨著第二步燒結(jié)溫度的升高,S0的線收縮率和相對密度均有明顯的增加,而添加納米SiB6顆粒的試樣卻有所下降。這可能是由于在高溫下S0具有較高的擴散速率,繼續(xù)燒結(jié)收縮致密,而添加納米顆粒的試樣由于納米顆粒在高溫下保持較長時間后揮發(fā)分解量較大,形成大量的空洞,因此,線收縮率下降,從而相對密度相應(yīng)地降低。

      兩步燒結(jié)對力學(xué)性能的影響

      (1)第一步燒結(jié)溫度對力學(xué)性能的影響

      圖3為將SiC/納米SiB6復(fù)合陶瓷升至1900℃保溫15min,再降溫至1850℃保溫60min后,與直接在1850℃燒結(jié)75min的試樣相比的抗彎強度和維氏硬度的結(jié)果。從圖中可以看出,對抗彎強度而言,前15min的燒結(jié)溫度對空白樣造成了較大的影響,升高溫度使其抗彎強度降低了200MPa左右,維氏硬度降低了約4.0GPa;添加納米SiB6顆粒的試樣除SB5的維氏硬度由于第一步燒結(jié)溫度的提高而增加了約6.0GPa之外,其他試樣均無明顯變化。這可能是由于添加納米SiB6顆粒后,由于SiB6熔點較高,所需擴散和移動的能壘較高,盡管在1950℃燒結(jié)15min,但是不足以在很大程度上改變基體的燒結(jié)狀態(tài),因此對其抗彎強度和維氏硬度影響不大。

      (2)第二步燒結(jié)溫度對力學(xué)性能的影響

      圖4示出了第二步燒結(jié)溫度對SiC/納米SiB6陶瓷抗彎強度、維氏硬度的影響。與第一步燒結(jié)溫度較短的15min相比,改變第二步60min的燒結(jié)溫度對所有樣品的抗彎強度和維氏硬度影響較大??傮w而言,隨著第二步燒結(jié)溫度由1850℃升至1900℃,所有試樣的抗彎強度和維氏硬度均有所增大。然而,兩種燒結(jié)工藝下抗彎強度的變化規(guī)律有一定的差異。當(dāng)?shù)诙綗Y(jié)溫度依然保持在1900℃時,抗彎強度隨著納米SiB6含量的增加而降低,S0的抗彎強度最高,為368MPa;而第二步燒結(jié)溫度降低50℃,抗彎強度呈先增大后減小的趨勢,整體強度偏低,在150~250MPa之間。維氏硬度隨著第二步燒結(jié)溫度的提高而有所提高。在兩種燒結(jié)制度下,維氏硬度均隨著納米SiB6含量的增加而呈先升高后降低的趨勢,當(dāng)?shù)诙綗Y(jié)溫度保持在1900℃,納米SiB6顆粒含量為5.0wt%時,SiC復(fù)合陶瓷的維氏硬度最高,為22.5GPa。

      本文作者:張玲潔1盛建松2郭興忠1楊輝1,2作者單位:1浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系2浙江大學(xué)浙江加州國際納米技術(shù)研究院

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