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      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志 統(tǒng)計(jì)源期刊

      主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司  主辦單位:南京電子器件研究所

      雙月刊  審稿周期:預(yù)計(jì)1-3個(gè)月  全年訂價(jià):¥220.00

      《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》由楊乃彬擔(dān)任主編,創(chuàng)刊于1981年,由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管、南京電子器件研究所主辦的一本電子領(lǐng)域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領(lǐng)域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評(píng)論等,力求及時(shí)、準(zhǔn)確、全面的反映該領(lǐng)域的政策、技術(shù)、應(yīng)用市場(chǎng)及動(dòng)態(tài)。

      • 32-1110/TN 國(guó)內(nèi)刊號(hào)
      • 1000-3819 國(guó)際刊號(hào)
      • 1277 發(fā)文量
      • 0.29 影響因子
      • 2651 總被引量
      • 1981 創(chuàng)刊時(shí)間

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊信息

      • 出版語(yǔ)言:中文
      • 創(chuàng)刊時(shí)間:1981年
      • 國(guó)際刊號(hào):1000-3819
      • 主編:楊乃彬
      • 紙張開(kāi)本:A4
      • 國(guó)內(nèi)刊號(hào):32-1110/TN
      • 出版地區(qū):江蘇
      • 發(fā)行周期:雙月刊

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊榮譽(yù)

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展投稿須知

      1.本刊力倡引用正式出版物。中文文獻(xiàn)題名應(yīng)使用書(shū)名號(hào)。

      2.投稿請(qǐng)注明作者姓名、單位、電話(huà)、郵編和詳細(xì)通訊地址。

      3.稿件請(qǐng)附3-6個(gè)能反映論文主題的中英文對(duì)照的關(guān)鍵詞。

      4.文責(zé)自負(fù)。依照《著作權(quán)法》的有關(guān)規(guī)定,編輯部保留對(duì)來(lái)稿作文字修改、刪節(jié)的權(quán)利,不同意改動(dòng)者務(wù)請(qǐng)注明。

      5.“作者簡(jiǎn)介”置于首頁(yè)腳注處;基金項(xiàng)目請(qǐng)?jiān)谖恼率醉?yè)腳注處寫(xiě)明項(xiàng)目來(lái)源和課題編號(hào)。

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展編輯部聯(lián)系方式

      地址:南京1601信箱43分箱

      郵編:210016

      主編:楊乃彬

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展發(fā)文選摘

      • 1、X波段400 W GaN內(nèi)匹配功率管

        作者:唐世軍; 顧黎明; 陳韜; 彭勁松

      • 2、0.3~2.0 GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器

        作者:徐永剛; 楊興; 鐘世昌

      • 3、場(chǎng)板結(jié)構(gòu)對(duì)AlGaN/GaN HEMT溫度場(chǎng)的影響

        作者:邵宏月; 張明蘭; 王影影

      • 4、短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型

        作者:常紅; 王亞洲; 柯導(dǎo)明

      • 5、L波段載板式雙平衡限幅低噪聲放大器

        作者:李建平; 凌志健

      • 6、基于45 nm SOI工藝的超寬帶毫米波單刀雙擲開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)

        作者:韋俞鴻; 黃冰; 孫曉瑋; 張潤(rùn)曦; 張健

      • 7、基于徑向貼片和U形槽的新型雙陷波超寬帶天線(xiàn)

        作者:師婭楠; 張斌珍; 段俊萍; 徐永慶; 徐洪成

      • 8、基于六角T型諧振器的小型化低通濾波器的設(shè)計(jì)

        作者:張友俊; 溫殿蕓

      • 9、射頻功率放大器互連可靠性的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模研究

        作者:林倩

      • 10、星載微波固態(tài)大功率組件預(yù)防微放電效應(yīng)工藝研究

        作者:劉煒; 王仁軍; 陳梁; 洪希依; 莊緒德; 褚士震

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊評(píng)價(jià)分析

      年發(fā)文量和被引次數(shù)
      影響因子和立即指數(shù)

      固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊評(píng)價(jià)報(bào)告

      年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
      被引次數(shù) 193 190 224 239 244 260 248 207 261 265
      影響因子 0.18 0.19 0.29 0.2 0.22 0.28 0.29 0.28 0.43 0.44
      立即指數(shù) 0.02 0.01 0.02 0.02 0.05 0.04 0.01 0.07 0.09 0.07
      發(fā)文量 122 120 118 105 88 85 87 85 85 90
      被引半衰期 5.53 5 4.7 5.88 5.06 5.52 5.24 5.36 5.36 4.75
      引用半衰期 4.4 4.92 4.26 5.04 5.39 5.42 5.65 5.35 5.17 4.98
      期刊他引率 0.77 0.78 0.75 0.82 0.85 0.82 0.83 0.82 0.86 0.84
      平均引文率 9.1 9.4 7.6 2.6 10 10.9 11.6 12.3 13.9 12.3

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