納米碳管

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納米碳管范文第1篇

【關(guān)鍵詞】碳納米管；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；分支碳納米管

0 引言

二十多年來，碳納米管因優(yōu)異的場(chǎng)發(fā)射性能受到了人們的極大關(guān)注[2]。其獨(dú)特的幾何結(jié)構(gòu)，高的場(chǎng)增強(qiáng)因子，從而使碳納米管躋身于理想場(chǎng)發(fā)射材料的候選人之列。如何進(jìn)一步提高碳納米管的場(chǎng)發(fā)射性能是近年來研究的焦點(diǎn)之一。除通過各種技術(shù)改變碳納米管自身的特點(diǎn)之外（例如直徑大小、碳管之間的距離、缺陷度等），部分研究聚焦在如何通過復(fù)合提高碳納米管的場(chǎng)增強(qiáng)因子（分支碳納米管等）[3]，另一部分聚焦在通過復(fù)合減少電子發(fā)射勢(shì)壘（氧化鋅、氧化鋇、氧化鍶、氧化鎂等材料）[4]。這些復(fù)合材料分別不同程度地提高了碳納米管的發(fā)射電流密度和發(fā)射穩(wěn)定性。

在本文中，我們使用RF-PECVD技術(shù)合成了碳納米管/分支碳納米管的復(fù)合物，并對(duì)此復(fù)合物的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了探討。

1 實(shí)驗(yàn)部分

為了生長(zhǎng)碳納米管/分支碳納米管的復(fù)合物，我們通過磁控濺射技術(shù)在硅片上沉積了約20nm厚Ti薄膜，然后，在Ti膜上鍍了15nm厚的Co膜作為催化劑。鐵納米顆粒是通過氣相傳輸過程涂覆在垂直排列的碳納米管上。為了合成了分支碳納米管，首先，取兩端被厚鋼板密封的陶瓷管，其管徑為6mm，在兩片鋼板的中心位置分別鉆一個(gè)小孔，將高純度的二茂鐵（0.01）放在陶瓷管里面，然后，將陶瓷管的兩端用兩片薄的鋼板封住，用短而細(xì)小的鋁線將薄的鋼板牢牢地固定在陶瓷管上，以防止二茂鐵在升溫過程中快速揮發(fā)。將事先沉積在硅片上的碳納米管放在氣流下端，距離陶瓷管4mm處。隨著溫度的升高，我們通過反應(yīng)室的窗口可以看到鋁線逐漸熔化，在800℃附近，我們發(fā)現(xiàn)兩塊薄鋼板開始慢慢偏離陶瓷管兩端，此時(shí)，二茂鐵分解出來的鐵原子將會(huì)在碳納米管的管壁上快速聚集成鐵的納米小顆粒，我們開啟射頻電源，調(diào)節(jié)功率為230W，基底溫度保持在800℃，CH4、H2的流量比為15/80sccm，沉積時(shí)間20min。隨后，系統(tǒng)在H2的氣氛下冷卻至室溫，我們得到了分支碳納米管復(fù)合在碳納米管上的復(fù)合體系。

我們用掃描電鏡、透射電鏡分別對(duì)樣品進(jìn)行了表征，透射電鏡樣品的制備方法是用薄的刀片對(duì)硅片上的樣品進(jìn)行剝離，然后，將樣品放在微柵網(wǎng)上進(jìn)行測(cè)試。

2 結(jié)果與討論

場(chǎng)發(fā)射測(cè)量?jī)x主要結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極板（導(dǎo)電玻璃）、陰極（樣品）和真空室，陽(yáng)極板和陰極之間距離為200μm，用玻璃絲隔開。用無油渦輪分子泵將真空室的真空度抽到低于1.2×10-7Pa，然后，進(jìn)行場(chǎng)發(fā)射測(cè)量。

圖1（a）是碳納米管/分支碳納米管復(fù)合物的掃描電鏡圖，從圖中我們可以看出，原碳納米管的直徑和長(zhǎng)度分別約40nm和2μm。當(dāng)碳納米管管身被覆蓋鐵納米顆粒后，細(xì)小的碳納米管將在鐵顆粒處成核、生長(zhǎng)。我們從圖1（a）可以看出，分支碳納米管的直徑依次是6nm，這些分支碳納米管分別出現(xiàn)在原碳納米管的表面和尖端。圖1（b）是圖1（a）的透射電鏡圖，從圖中可以清晰的看出，分支碳納米管長(zhǎng)在管身上，直徑大約為6nm。隨著甲烷氣體的通入，等離子體中大量的碳?xì)浠钚曰鶊F(tuán)將在催化劑鐵顆粒的表面發(fā)生裂解反應(yīng)，裂解出來的碳原子將溶解到納米鐵顆粒中，在其中溶解并擴(kuò)散，當(dāng)達(dá)到過飽和時(shí)將析出、生長(zhǎng)出分支碳納米管[5-6]。在以往的試驗(yàn)中，氫源、充足的碳源、催化劑是生長(zhǎng)碳納米管的要素[7]，在實(shí)驗(yàn)中我們發(fā)現(xiàn)氫氣/甲烷的比例是很高的，所以氫離子將會(huì)嚴(yán)重地刻蝕分支碳納米管，阻礙其快速生長(zhǎng)，但是，我們?nèi)匀怀晒Φ睾铣闪朔种技{米管，其中的原因可能是小尺寸的鐵納米顆粒具有很高的催化活性。

圖1

圖1（a）-（b）分別是碳納米管/分支碳納米管的復(fù)合物，其分支碳管直徑分別為6 nm的掃描電鏡圖；（b）是圖（a）中的分支碳管的透射電鏡圖，箭頭標(biāo)示的部分為分支碳管。

3 結(jié)論

我們利用PECVD技術(shù)合成了碳納米管/分支碳納米管的復(fù)合物，催化劑的催化活性、溫度、氫氣量對(duì)其生長(zhǎng)過程起關(guān)鍵作用。樹狀碳納米管在場(chǎng)發(fā)射應(yīng)用方面有潛在的應(yīng)用前。

【參考文獻(xiàn)】

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[2]J. Kim， I. T. Han， P. Y. Jun， J. M. Kim， J. B. Park， B. K. Kim， N. S. Lee， Synthesis of hybrid multiwall carbon nanotubes and their enhanced field emission properties[J].Chem. Phys. Lett.， 2004，396：6.

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納米碳管范文第2篇

2、碳納米管可以應(yīng)用于碳納米管觸摸屏。碳納米管觸摸屏首次于2008年間成功被開發(fā)出，至今已有多款智慧型手機(jī)上使用碳納米管材料制成的觸摸屏。

3、碳納米管可以作為模具。在碳納米管的內(nèi)部可以填充金屬、氧化物等物質(zhì)，這樣碳納米管可以作為模具，首先用金屬等物質(zhì)灌滿碳納米管，就可以制備出最細(xì)的納米尺度的導(dǎo)線。

4、碳納米管可用作電雙層電容器電極材料。電雙層電容器既可用作電容器也可以作為一種能量存儲(chǔ)裝置。超級(jí)電容器可大電流充放電，幾乎沒有充放電過電壓，循環(huán)壽命可達(dá)上萬次，工作溫度范圍很寬。

納米碳管范文第3篇

摘要：研究了利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備碳納米管時(shí)各種工藝參數(shù)的影響。在化學(xué)氣相沉積中催化劑起著至關(guān)重要的作用，為分析催化劑對(duì)碳納米管生長(zhǎng)情況的影響，采用常用的催化劑Fe和Ni作對(duì)比實(shí)驗(yàn)，并利用掃描電子顯微鏡表征手段分析不同催化層對(duì)碳納米管生長(zhǎng)情況的影響，發(fā)現(xiàn)使用Fe催化層在較高溫度下，碳納米管生長(zhǎng)形貌較Ni催化層要好。而沉積溫度在制備碳納米管的過程中也起這重要的作用，所以實(shí)驗(yàn)針對(duì)不同沉積溫度進(jìn)行碳納米管生長(zhǎng)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)600℃左右溫度較適合碳納米管生長(zhǎng)。

關(guān)鍵詞：碳納米管；催化劑；化學(xué)氣相沉積；掃描電子顯微鏡

中圖分類號(hào)：TB302.2文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

Grown Parameters of Multiwalled Carbon Nanotube with

Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

ZHANG Tie-jun，CHEN Ze-xiang

（School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and

Technology of China, Chengdu610054，China)

Abstract: The article summarized the preparation, characters and the trend of development of carbon nanotube (CNT).Experiments have done to studied the influence of technical parameters in microwave plasma chemical vapor deposition (MWPECVD).The catalyst is playing a very important role in chemical vapor deposition (CVD), the article did some experiments with Fe and Ni catalyst for discovering the catalyst influence in carbon nanotube growth by scanning electron microscope (SEM). Experimental data revealed that CNTs appearance are better with Fe catalyst than Ni catalyst in higher temperature. The deposition temperature also are important to CNT growth, a series of experiments under several different temperatures have been executed, and the results showed that the most appropriate temperature is about 600℃ in the article.

Keywords: CNT；catalyst；MWPCVD；SEM

引言

自從1991年Iijima[1]發(fā)現(xiàn)碳納米管以來,由于其具有的化學(xué)穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率、良好力學(xué)性能等特性,使得人們?cè)絹碓疥P(guān)注其在各領(lǐng)域潛在的應(yīng)用。基于碳納米管的重要性，各種制備碳納米管的方法相繼出現(xiàn)，最為常用的有電弧法、激光燒蝕法、化學(xué)氣相沉積法（chemical vapor deposition, CVD）。其中CVD法由于操作簡(jiǎn)單，設(shè)備要求低，產(chǎn)率高，適合用于批量生產(chǎn)，是目前最有工業(yè)化前景的方法[2~5]。TomitaA[6]等人以Al2O3為薄膜作為模板,用化學(xué)氣相沉積的方法在微孔內(nèi)合成了碳納米管,管徑恰好等于孔徑,將氧化鋁溶掉后,得到了平行的碳納米管薄膜。在微波等離子體化學(xué)氣相沉積（microwave plasma chemical vapor deposition, MWPCVD）法中，催化劑是碳納米管制備不可缺少的因素。催化劑作為碳源分解活性中心以及石墨碳沉積中心，對(duì)裂解產(chǎn)物的形貌和結(jié)構(gòu)起著至關(guān)重要的作用。催化劑同時(shí)也是碳納米管生長(zhǎng)的成核中心和能量輸運(yùn)者，它的選取、制備、以及載體的選取也將對(duì)碳納米管的成核、生長(zhǎng)速率、密度、分離、純化等有很大影響，將導(dǎo)致碳納米管具有不同的形貌和結(jié)構(gòu)，是碳納米管制備中重要影響因素。

利用掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope ,SEM）對(duì)成品進(jìn)行表征分析，本文研究了Ni、Fe這兩種催化劑及沉積溫度在基于微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備工藝下對(duì)碳納米管形貌的影響。

1 實(shí)驗(yàn)描述

本實(shí)驗(yàn)主要是研究催化劑和溫度對(duì)碳納米管生長(zhǎng)的影響。首先，鐵、鎳催化層由鍍膜設(shè)備沉積在N型材料的拋光硅片上，Ni、Fe催化層都大約為2.1nm左右的厚度，沉積好的樣品迅速轉(zhuǎn)移到如圖1所示的反應(yīng)室內(nèi)，進(jìn)行碳納米管生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)。

樣品放入反應(yīng)室后，首先進(jìn)行熱刻蝕，使催化劑層裂解成均勻分布的催化劑顆粒，而后相繼通過微波及反應(yīng)氣體進(jìn)行碳納米管定向的生長(zhǎng)，生長(zhǎng)時(shí)間為5min。

實(shí)驗(yàn)基本條件：使用基底材料為n型（100）面拋光硅片，通入混合氣體H2占90%，CH4占10%，反應(yīng)室氣壓保持在27mbar，預(yù)熱時(shí)間定為15min，微波功率設(shè)置為1,000W。在這個(gè)基本實(shí)驗(yàn)條件下，我們分別就常見Ni、Fe催化層作為碳納米管生長(zhǎng)的催化劑，且對(duì)每種催化劑，設(shè)定一個(gè)基底溫度變化范圍：從510℃~748℃，分別做5次實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)如表1所示：

從圖2以及圖3的SEM照片中可看出：碳納米管薄膜是高度取向的有序陣列還是雜亂取向的無序膜，碳納米管是否均勻分布以及高度取向有序膜的高度，從而可以算出碳納米管薄膜的生長(zhǎng)速度。本實(shí)驗(yàn)將得到的SEM照片作對(duì)比觀察發(fā)現(xiàn)：使用Fe作催化層時(shí)，在較低溫度下，管狀結(jié)構(gòu)很難發(fā)現(xiàn)（和Ni對(duì)比），但是在較高溫度下，碳納米管生長(zhǎng)形態(tài)較Ni催化層要好。Wei-Qiao Deng等人[7]對(duì)不同碳溶解度的幾種催化金屬在碳形核（決定了生成碳納米管的密度和數(shù)量）階段和碳管生長(zhǎng)階段的催化性能進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在碳形核階段，金屬的催化活性大小依次為Mo、Cr、Co、Pt、Fe、Ni、Cu；在碳納米管生長(zhǎng)階段，催化劑活性依次為Fe、Ni、Mo、Co、Pt、Cr、Cu。然而在本實(shí)驗(yàn)中并未發(fā)現(xiàn)鎳催化層在碳納米管生長(zhǎng)中明顯的相對(duì)優(yōu)勢(shì)。

在同一催化層的前提下，溫度的不同也會(huì)產(chǎn)生不同的生長(zhǎng)結(jié)果。在較低溫度510℃的情況下，很難發(fā)現(xiàn)管狀物體的存在，說明在此溫度下，催化劑膜并沒有發(fā)生分裂，仍保持連續(xù)狀態(tài)。而生成碳納米管的首要條件是必須有納米級(jí)的納米顆粒存在，且催化劑顆粒尺寸與CNT的直徑成線性關(guān)系[8]，因此在此狀態(tài)下，不能形成碳納米管。而溫度過高也不利于碳納米管的生長(zhǎng)，從SEM圖像可以看出碳納米管在600℃左右生長(zhǎng)情況較好。

3 總結(jié)

本文通過微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備碳納米管工藝參數(shù)的研究，討論了兩種主要用于碳納米管生長(zhǎng)的Fe、Ni催化層在一定溫度范圍內(nèi)對(duì)碳納米管生長(zhǎng)形貌的影響，利用SEM表征樣品的形貌，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果得出，使用Fe作催化層時(shí)，在較低溫度下，管狀結(jié)構(gòu)很難發(fā)現(xiàn)（和Ni對(duì)比），但是在較高溫度下，碳納米管生長(zhǎng)形態(tài)較Ni催化層要好，從實(shí)驗(yàn)結(jié)果并沒得出Fe和Ni誰(shuí)更適合碳納米管生長(zhǎng)的結(jié)論。同時(shí)分析了同一催化層在不同溫度下的情況，得出較低溫度不利于碳納米管的生長(zhǎng)，在沒達(dá)到最佳溫度前，催化層薄膜只能達(dá)到剛剛可以分裂的狀態(tài)，因而形成的催化劑顆粒較大，較大的催化劑顆粒不易維持碳納米管的生長(zhǎng)，從而只能在較小的催化劑顆粒處有碳納米管長(zhǎng)出，因此碳管的長(zhǎng)度很短，并且數(shù)量很少。同時(shí)，甲烷的分解反應(yīng)也需要一定的溫度，溫度過低抑制了甲烷的分解，使反應(yīng)不能順利進(jìn)行，分解的碳活性原子過少，活性小。因此，在反應(yīng)溫度較低時(shí)，由于催化劑的活性低和甲烷的分解較為困難的雙重作用，導(dǎo)致反應(yīng)不完全。

參考文獻(xiàn)

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納米碳管范文第4篇

8、超級(jí)X光

以碳納米管為基礎(chǔ)的新成像系統(tǒng)生成的圖像，將比現(xiàn)在使用的X光和CT掃描更加清晰，而且成像更快。X光掃描儀的工作原理是，它內(nèi)部的金屬絲被加熱到臨界高溫時(shí)會(huì)釋放出電子，這些電子穿越人體，撞擊到人體另一側(cè)的金屬電極，生成圖像。CT掃描則通過交替改變電子來源，產(chǎn)生三維圖像。美國(guó)研究人員通過給碳納米管施加電壓，讓它們同時(shí)發(fā)射出數(shù)百個(gè)電子。由于沒有金屬絲需要加熱，這種新系統(tǒng)比常規(guī)X光儀的速度更快，而且這種多功能納米管發(fā)射器還能在不需移動(dòng)的情況下，從多角度拍攝圖片。

7、開發(fā)氫燃料車

制造由氫燃料電池供能的汽車一直是人類的清潔能源之夢(mèng)，但其價(jià)格一直居高不下，這是因?yàn)橐褂勉K催化劑來加速電池反應(yīng)的速度。美國(guó)一個(gè)科研組發(fā)現(xiàn)，利用上面涂有氮的碳納米管，可以制成更加有效的催化劑。雖然目前納米管的造價(jià)也非常高，但取自石墨的碳納米管未來終究會(huì)比鉑劃算。

6、快速的醫(yī)療診斷

西班牙研究人員發(fā)現(xiàn)，碳納米管有助于解決非常棘手的醫(yī)療問題，比如可以制成用來診斷真菌傳染病的生物傳感器。傳統(tǒng)方法在收集細(xì)胞樣本后，要在實(shí)驗(yàn)室的培養(yǎng)皿里進(jìn)行培養(yǎng)，查看它里面是不是有白色念珠茵出現(xiàn)。而新的方法則利用碳納米管和抗體(主要攻擊假絲酵母細(xì)胞)制成晶體管。把細(xì)胞樣本放在傳感器上，酵母細(xì)胞和抗體之間的互動(dòng)，改變了該裝置的電流。傳導(dǎo)性極好的納米管記下這種改變，研究人員根據(jù)記錄結(jié)果，可以測(cè)量出樣本中出現(xiàn)酵母細(xì)胞的數(shù)量。

5、世界上最小的芯片

科學(xué)家可以利用碳納米管制成芯片，取代現(xiàn)有硅芯片。幾個(gè)科研組已經(jīng)找到把碳納米管展開，制成厚度僅為一個(gè)原子的石墨烯薄片的方法。石墨烯跟硅一樣，都是半導(dǎo)體，但是可大大提高電腦芯片的處理能力。展開納米管要求非常嚴(yán)格，科學(xué)家把納米管粘貼在高分子膜上，然后利用氬氣腐蝕掉“管子”之間的“紐帶”，從而形成石墨烯薄片。

4、模仿壁虎研制強(qiáng)效黏合劑

壁虎的腳上覆蓋著數(shù)百萬根微小的纖毛，每根纖毛的頂端都堤壓板形。由于壁虎腳落在物體表面時(shí)，會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)大的吸引力，即范德華力，因此壁虎可以克服重力，在天花盤上如履平地。研究人員模仿壁虎腳掌的結(jié)構(gòu)，把納米管垂直排列，然后把更短的納米管連接在它們頂端，看起來像分叉的樹梢一樣。這種黏合劑在多種物體表面上都能用，無論是粗糙的砂紙抑或光滑的玻璃。

3、柔軟可彎曲的電子設(shè)備

無論是折疊起來，還是像揉報(bào)紙一樣把它揉成一團(tuán)，它的性能竟一點(diǎn)不受影響，你相信有這樣的電腦屏幕嗎?日本研究人員用有機(jī)發(fā)光二極管(用有彈性的成對(duì)納米導(dǎo)管制造的)制成一個(gè)顯示器。當(dāng)有電流通過時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管里的有機(jī)成分會(huì)發(fā)光，從而使這種顯示器不需要背后照明，因此它們比傳統(tǒng)顯示器更薄。

2、太空梯

研究人員利用碳納米管制成氣凝膠，結(jié)果發(fā)現(xiàn)它像鋼鐵一樣結(jié)實(shí)。給它施加電壓后，這種材料的柔軟度會(huì)比橡膠還好。這種材料的應(yīng)用途徑有哪些呢?其中一種是用納米管制成繩索，當(dāng)作太空梯的電纜。太空梯可以把宇航員、貨物送入軌道。近10萬千米長(zhǎng)的太空梯必須非常結(jié)實(shí)，柔韌性非常好，這樣才能抵御大氣風(fēng)暴和太空碎片的侵襲，同時(shí)它們還必須非常輕，這樣才不會(huì)被自身重量墜斷。

納米碳管范文第5篇

針對(duì)困擾碳基電子學(xué)發(fā)展的這一基礎(chǔ)與核心問題，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院李彥教授課題組近年來開展了系統(tǒng)深入的研究工作，取得了一系列的進(jìn)展和突破。

據(jù)悉，催化劑是碳納米管可控生長(zhǎng)的關(guān)鍵因素，研究人員在適宜于器件應(yīng)用的碳納米管生長(zhǎng)催化劑研究中發(fā)展了銅和鉛兩種生長(zhǎng)單壁碳納米管的新催化劑，與國(guó)內(nèi)外合作者開展的器件方面的合作研究表明這兩種催化劑制備出的單壁碳納米管構(gòu)筑的器件具有優(yōu)異的性能。

在方向可控的制備方面，他們發(fā)展了超低氣流量的單壁碳納米管陣列制備方法，實(shí)現(xiàn)了陣列的方便、可靠、批量制備，NatureCHINA網(wǎng)站曾以“Nanotubes：SlowlybutSurely”為題進(jìn)行了報(bào)道。通過氣流的導(dǎo)向作用還實(shí)現(xiàn)了碳納米管生長(zhǎng)方向的靈活控制，可控地獲得了各種非直線型單壁碳納米管陣列。

單壁碳納米管的性質(zhì)可控生長(zhǎng)無疑是納米管生長(zhǎng)研究中最富挑戰(zhàn)性的問題。北京大學(xué)的課題組還與杜克大學(xué)課題組合作，利用基底晶格的控制作用并通過合適碳源的選擇，在石英基底上獲得了適合于構(gòu)筑場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其他器件的高純度的半導(dǎo)體性單壁碳納米管。

――Mary

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出中文版SIMPLE SWITCHER易電源設(shè)計(jì)工具

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor Corp.)近日宣布推出SIMPLE SWITCHER易電源全新設(shè)計(jì)工具，該工具提供多達(dá)12，000款國(guó)內(nèi)供應(yīng)商的無源元件以供選擇。此外，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體也在全國(guó)設(shè)立了多個(gè)本地銷售及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)，為國(guó)內(nèi)的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師提供更全面的技術(shù)支持與服務(wù)。SIMPLE SWITCHER易電源設(shè)計(jì)工具全部采用簡(jiǎn)體中文，在全國(guó)范圍內(nèi)均可訪問，這令國(guó)內(nèi)工程師可以快速完成針對(duì)汽車電子系統(tǒng)、工業(yè)產(chǎn)品和通信設(shè)各等不同終端應(yīng)用的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品的相關(guān)介紹和技術(shù)資料如數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用注釋、技術(shù)論文、參考設(shè)計(jì)、在線及離線設(shè)計(jì)工具及相關(guān)資源也均提供中文版本，令國(guó)內(nèi)工程師在熟悉的語(yǔ)言環(huán)境下可以安心使用上述設(shè)計(jì)工具。全新SIMPLE SWITCHER易電源設(shè)計(jì)工具提供總計(jì)超過385款的各類產(chǎn)品，從上世紀(jì)九十年代的經(jīng)典產(chǎn)品LM2676到新一代屢獲大獎(jiǎng)的電源模塊均囊括其中。sIMPLE SWITCHER系列產(chǎn)品陣容非常強(qiáng)大，包括簡(jiǎn)單易用的電源模塊、降壓穩(wěn)壓器和控制器等，為工程師帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性。

SIMPLE SWITCHER易電源設(shè)計(jì)工具讓國(guó)內(nèi)工程師可以輕松為開關(guān)電源解決方案構(gòu)思一款高效率的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并且在分秒之內(nèi)迅速完成整個(gè)建模測(cè)試和優(yōu)化過程。這設(shè)計(jì)工具的數(shù)據(jù)庫(kù)中詳列了12，000款國(guó)內(nèi)供應(yīng)商提供的無源元件產(chǎn)品資料，國(guó)內(nèi)的工程師可以通過鏈接訪問美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的本地設(shè)計(jì)支持中心尋求技術(shù)支持。此外，工程師可以在線或離線使用該設(shè)計(jì)工具。