半導體的發展
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半導體的發展范文第1篇
中圖分類號：O471 文獻標識碼：A 文章編號：
引言
自然界中的物質，根據其導電性能的差異可劃分為導電性能良好的導體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一種物質。它的導電能力會隨溫度、光照及摻入雜質的不同而顯著變化，特別是摻雜可以改變半導體的導電能力和導電類型，這是其廣泛應用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據。
一、半導體材料的概念與特性
當今，以半導體材料為芯片的各種產品普遍進入人們的生活，如電視機，電子計算機，電子表，半導體收音機等都已經成為我們日常所不可缺少的家用電器。 半導體材料為什么在今天擁有如此巨大的作用， 這需要我們從了解半導體材料的概念和特性開始。
半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一類物質，在某些情形下具有導體的性質。 半導體材料廣泛的應用源于它們獨特的性質。 首先，一般的半導體材料的電導率隨溫度的升高迅速增大，各種熱敏電阻的開發就是利用了這個特性；其次，雜質參入對半導體的性質起著決定性的作用，它們可使半導體的特性多樣化，使得 PN 結形成，進而制作出各種二極管和三極管；再次，半導體的電學性質會因光照引起變化，光敏電阻隨之誕生；一些半導體具有較強的溫差效應，可以利用它制作半導體制冷器等； 半導體基片可以實現元器件集中制作在一個芯片上，于是產生了各種規模的集成電路。 這種種特性使得半導體獲得各種各樣的用途， 在科技的發展和人們的生活中都起到十分重要的作用。
二、幾種主要半導體材料的發展現狀與趨勢
（一）硅材料
硅材料是半導體中應用廣泛的一類材料，目前直徑為8英寸（200mm）的Si單晶已實現大規模工業生產，基于直徑為12英寸（300mm）硅片的集成電路（IC's）技術正處在由實驗室向工業生產轉變中。18英寸重達414公斤的硅單晶和18英寸的硅園片已在實驗室研制成功，直徑27英寸硅單晶研制也正在積極籌劃中。
從進一步提高硅IC'S的速度和集成度看，研制適合于硅深亞微米乃至納米工藝所需的大直徑硅外延片會成為硅材料發展的主流。另外，SOI材料，包括智能剝離（Smart cut）和SIMOX材料等也發展很快。目前，直徑8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在開發中。
（二）GaAs和InP單晶材料
GaAs和InP與硅不同，它們都是直接帶隙材料，具有電子飽和漂移速度高，耐高溫，抗輻照等特點；在超高速、超高頻、低功耗、低噪音器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨特的優勢。
（三）半導體超晶格、量子阱材料
半導體超薄層微結構材料是基于先進生長技術（MBE，MOCVD）的新一代人工構造材料。它以全新的概念改變著光電子和微電子器件的設計思想，出現了“電學和光學特性可剪裁”為特征的新范疇，是新一代固態量子器件的基礎材料。GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED發光器件和有關納米硅的Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。我國早在1999年，就研制成功980nm InGaAs帶間量子級聯激光器，輸出功率達5W以上；2000年初，法國湯姆遜公司又報道了單個激光器準連續輸出功率超過10瓦好結果。最近，我國的科研工作者又提出并開展了多有源區縱向光耦合垂直腔面發射激光器研究，這是一種具有高增益、極低閾值、高功率和高光束質量的新型激光器，在未來光通信、光互聯與光電信息處理方面有著良好的應用前景。
（四）一維量子線、零維量子點半導體微結構材料
基于量子尺寸效應、量子干涉效應，量子隧穿效應和庫侖阻效應以及非線性光學效應等的低維半導體材料是一種人工構造（通過能帶工程實施）的新型半導體材料，是新一代微電子、光電子器件和電路的基礎。它的發展與應用，極有可能觸發新的技術革命。
目前低維半導體材料生長與制備主要集中在幾個比較成熟的材料體系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP,InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在納米微電子和光電子研制方面取得了重大進展。俄羅斯約飛技術物理所MBE小組，柏林的俄德聯合研制小組和中科院半導體所半導體材料科學重點實驗室的MBE小組等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子點激光器，工作波長lμ蘭左右，單管室溫連續輸出功率高達3．6～4W。1.5 寬帶隙半導體材料寬帶隙半導體材料主要指的是金剛石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶體等，特別是SiC、GaN和金剛石薄膜等材料，因具有高熱導率、高電子飽和漂移速度和大臨界擊穿電壓等特點，成為研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導體微電子器件和電路的理想材料；在通信、汽車、航空、航天、石油開采以及國防等方面有著廣泛的應用前景。另外，III族氮化物也是很好的光電子材料，在藍、綠光發光二極管（LED)和紫、藍、綠光激光器（LD）以及紫外探測器等應用方面也顯示了廣泛的應用前景。隨著1993年GaN材料的P型摻雜突破，GaN基材料成為藍綠光發光材料的研究熱點。
三、半導體材料發展的幾點建議
GaAs、InP等單晶材料同國外的差距主要表現在拉晶和晶片加工設備落后，沒有形成生產能力。相信在國家各部委的統一組織、領導下，并爭取企業介入，建立我國自己的研究、開發和生產聯合體，取各家之長，分工協作，到2010年趕上世界先進水平是可能的。要達到上述目的，到“十五”末應形成以4英寸單晶為主2－3噸／年的SI－GaAs和3－5噸／年摻雜GaAs、InP單晶和開盒就用晶片的生產能力，以滿足我國不斷發展的微電子和光電子工業的需求。到2010年，應當實現4英寸GaAs生產線的國產化，并具有滿足6英寸線的供片能力。發展超晶格、量子阱和一維、零維半導體微結構材料。
（一）超晶格、量子阱材料
從目前我國國力和我們已有的基礎出發，應以三基色（超高亮度紅、綠和藍光）材料和光通信材料為主攻方向，并兼顧新一代微電子器件和電路的需求，加強MBE和MOCVD兩個基地的建設，引進必要的適合批量生產的工業型MBE和MOCVD設備并著重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP,GaN基藍綠光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料體系的實用化研究是當務之急，爭取在“十五”末，能滿足國內2、3和4英寸GaAs生產線所需要的異質結材料。到2010年，每年能具備至少100萬平方英寸MBE和MOCVD微電子和光電子微結構材料的生產能力。達到本世紀初的國際水平。
寬帶隙高溫半導體材料如SiC，GaN基微電子材料和單晶金剛石薄膜以及ZnO等材料也應擇優布點，分別做好研究與開發工作。
（二）一維和零維半導體材料的發展設想
基于低維半導體微結構材料的固態納米量子器件，目前雖然仍處在預研階段，但極其重要，極有可能觸發微電子、光電子技術新的革命。低維量子器件的制造依賴于低維結構材料生長和納米加工技術的進步，而納米結構材料的質量又很大程度上取決于生長和制備技術的水平。因而，集中人力、物力建設我國自己的納米科學與技術研究發展中心就成為了成敗的關鍵。具體目標是，“十五”末，在半導體量子線、量子點材料制備，量子器件研制和系統集成等若干個重要研究方向接近當時的國際先進水平；2010年在有實用化前景的量子點激光器，量子共振隧穿器件和單電子器件及其集成等研發方面，達到國際先進水平，并在國際該領域占有一席之地。可以預料，它的實施必將極大地增強我國的經濟和國防實力。
結束語
隨著信息技術的快速發展和各種電子器件、 產品等要求不斷的提高， 半導體材料在未來的發展中依然起著重要的作用。 在經過以 Si、GaAs 為代表的第一代、第二代半導體材料發展歷程后，第三代半導體材料的成為了當前的研究熱點。 我們應當在兼顧第一代和第二代半導體發展的同時， 加速發展第三代半導體材料。 目前的半導體材料整體朝著高完整性、高均勻性、大尺寸、薄膜化、集成化、多功能化方向邁進。 隨著微電子時代向光電子時代逐漸過渡， 我們需要進一步提高半導體技術和產業的研究，開創出半導體材料的新領域。 相信不久的將來，通過各種半導體材料的不斷探究和應用，我們的科技、產品、生活等方面定能得到巨大的提高和發展！
參考文獻
［1］沈能玨,孫同年,余聲明,張臣.現代電子材料技術.信息裝備的基石［M］.北京：國防工業出版社,2002.
［2］靳曉宇.半導體材料的應用與發展研究［J］.大眾商務,2009,(102).
［3］彭杰.淺析幾種半導體材料的應用與發展［J］.硅谷, 2008,(10).
半導體的發展范文第2篇
關鍵詞：半導體專用設備 機械結構 系統化 模塊化 智能化
0.引言
科學技術的發展進步以及人們對產品質量要求的提高，在半導體專用設備設計中，為確保產品質量，提高設備綜合性能，采取有效措施做好方案設計是十分必要的。另外，當前產品更新換代步伐也在不斷加快，產品功能日益增多，性能復雜性增加，更新速度加快，在這樣的背景下，提高產品方案設計水平更具有緊迫性。但一些設計人員對此重視程度不夠，影響方案設計水平提高，跟不上時展步伐和對產品質量的要求。為轉變這種情況，設計人員要提高思想認識，重視計算機輔助產品的設計繪圖和設計計算，以促進產品設計水平提高，更好滿足半導體專用設計需要，為產品生產和應用打下良好基礎。下面將探討半導體機械結構不同的設計方案，并對其發展前景進行展望，希望能為方案設計和發展提供參考。
1.半導體專用設備中機械結構的方案設計
在計算機輔助產品設計的引導下，再加上設計人員技術水平不斷提升，當前半導體機械結構方案設計取得多種不同方案，并且每種方案具有自身顯著特點和優勢，具體來說，包括以下幾種，實際工作中應結合具體需要合理選擇。
1.1系統化設計方案。將方案設計看成由若干要素組成的系統，每個要素既獨立，又相互聯系，并具有層次性，方案設計時將所有要素結合起來，進而完成系統設計任務。機械結構設計應用系統化設計方案時，常用方法包括設計元素法、圖形建模法、構思-設計法、矩陣設計法、鍵合圖法。設計元素包括功能、效應、效應載體、形狀元素、表面參數，五個元素確定后，產品設計特征和特征值也已經被確定下來。圖形建模將設計劃分為信息交換和輔助方法兩個方面，實現系統結構、功能關系的圖形建模。構思-設計將產品設計分為構思和設計兩個方面，選擇合適的結構，然后得出結構示意圖。矩陣設計采用“要求-功能”邏輯樹描述要求功能間的關系，然后建立關聯矩陣，滿足所需功能的矩陣，提高方案設計水平。鍵合圖法將系統元件功能分為產生、消耗、轉變、傳遞能量形式，借助鍵合圖表達元件功能解，由鍵合圖產生設計方案，達到完成設計任務的目的。
1.2結構模塊化設計方案。定義設計任務時以功能化產品結構為基礎，引用已有產品解描述設計任務，從而在設計階段預測生產能力和費用，提高產品設計可靠性，節約方案設計和產品生產成本。功能產品結構分為產品、功能組成、主要功能組件、功能元件四個層次，并且每個模塊化結構具有標準化接口，具有系統化、集成化、層次化、互換性、兼容性特征，以縮短產品設計周期，節約產品設計成本。
1.3基于產品特征知識設計方案。用計算機能識別語言描述產品的特征，設計領域的知識和經驗，建立知識庫和推理機制，進而實現計算機輔助產品方案設計。常用設計方案包括編碼法、基于知識的混合型表達法、利用基于知識的開發工具、設計目錄法，具體產品設計時根據具體需要合理選用相應的方案。
1.4智能化設計方案。根據設計方法和理論，借助三維圖形軟件、智能化設計軟件、虛擬現實技術、多媒體、超媒體工具進行產品開發和設計。常用方法包括產品規劃-構思產品、開發-設計產品、生產規劃-加工和裝配產品。
2.半導體專用設備中機械結構的方案發展前景
上述不同設計方案各有自身特點和優勢，并具有一定聯系。隨著技術發展和設計理念更新，半導體機械結構設計水平將進一步取得發展和進步，對產品生產和制造發揮積極作用。
2.1各方案的特點。上述不同設計方案各有自身特點，滿足半導體設計需要，產品設計時應結合具體需要合理選擇不同方案。系統化設計方案將方案設計由抽象到具體進行層次劃分，制定每一層設計目標和方法，將各層次有機聯系在一起，推動整個方案設計系統有序進行，并確保系統設計有規律和方法可以遵循，促進方案設計水平提高。結構模塊化設計對不同模塊進行組合，進而完成整個方案設計任務。半導體機械產品的某些組成部分功能明確，結構穩定，通過劃分模塊進行設計更有利于完成設計任務。并且一個實體可完成多種功能，設計的關鍵內容是結構模塊劃分和選用，設計人員需具備豐富的專業知識，并注重總結經驗，才能有效完成模塊化設計任務。產品方案設計無法采用純數學演算方案，通常根據產品特征進行形式化描述，根據設計人員的專業知識和經驗進行推理決策，然后才能完成設計任務，更好滿足產品使用功能需要。智能化設計常用三維圖形軟件和虛擬現實技術，直觀形象，有利于用戶積極參與。但該方案系統性差，在零部件結構、形狀、尺寸、位置確定時，要求設計軟件具有較高的智能化程度，并且設計人員需要豐富的經驗和專業技術知識。此外，這些方案并不完全孤立，不同方法又相互聯系，模塊化設計蘊含系統化思想，基于產品特征知識設計方案需應用系統化和模塊化方法。通過不同思想和方法的合理應用，有利于簡化設計流程，節約成本，確保產品設計質量。
2.2方案設計發展。隨著信息技術和網絡技術發展，異地協同設計方法出現，用戶對產品“功能需求-設計-加工-成品”成為可能，為促進該目標實現，首先就要實現產品設計的三維可視化。由此帶來的結果是，三維圖形軟件、智能化設計軟件、多媒體技術、虛擬現實技術、超媒體工具越來越多的被應用到方案設計中，推動方案設計發展與進步，促進產品設計水平進一步提升。
2.3方案設計前景。目前，半導體機械結構方案設計朝著計算機輔助實現、智能化設計、滿足異地協同設計制造需求方向邁進。有關方案設計的計算機實現方法起步較晚，技術尚未成熟，有待進一步研究和提升設計水平。為解決這些問題與不足，綜合應用上述四種方法，提高方案設計水平是一種有效方法和途徑，它包括機械設計、系統工程理論、人工智能理論、網絡技術等多種理論和技術，這是今后需改進和完善的地方。同時還要注重總結經驗，提高設計人員綜合技能，加強交流與合作，進一步提高方案設計水平，推動半導體設計和產品質量提高。
3.結束語
綜上所述，機械結構設計是半導體專用設備設計和生產的一項重要工作，對后續工作產生重要影響。隨著設計經驗總結和技術更新，方案設計水平將進一步提升。另外，設計人員還要善于總結經驗，注重技術創新，加強國際交流合作，吸收最先進的設計成果，更好指導結構方案設計工作，推動半導體結構設計水平和綜合性能提升。
參考文獻：
[1]程建瑞，王作義.半導體設備市場的新挑戰與新機遇[J].電子工業專業設備，2014（2），81-84
半導體的發展范文第3篇
同志們：
今天，集團公司學習實踐活動領導小組辦公室舉辦的專題培訓班，時間很短，但非常必要。重點是從工作層面研究學習實踐活動組織開展過程中的一些重要問題。剛才幾位同志分別向大家講解了集團公司學習實踐活動辦公室及組織組、宣傳組、綜合組的工作職責、工作流程、近期工作重點及工作要求，現場解答了大家提出的有關問題。可以說，這次培訓班辦的很好，對全集團學習實踐活動有序推進，并取得實實在在的效果，將會起到很好的促進作用。
下面，我再強調四點意見：
一、要高度重視，切實承擔起組織開展學習實踐活動的重要政治責任。
在座的同志作為集團公司和基層各單位學習實踐活動的工作人員，承擔著對整個活動的組織、指導、協調和推進的職責，責任重大。全集團及各單位學習實踐活動的成果和水平，從具體工作層面上說，取決于我們在座各位同志們的工作態度、工作質量和工作水平。
一是要充分認識開展學習實踐活動的重大意義。認識是行動的先導。xx書記在集團公司學習實踐活動動員大會報告中，從四個方面闡述了學習實踐活動的重大意義。開展學習實踐活動是進一步用黨的最新理論成果武裝黨員、深入貫徹落實科學發展觀的重大舉措；是企業在新的起點上加快推進徐礦老工業基地振興的內在要求；是保增長、促轉型、防風險、創和諧的迫切需要；是教育引導廣大黨員干部增強黨性、提高能力、改進作風、密切黨群干群關系的重要途徑。這四個方面意義是緊密結合企業實際提出來的，希望大家要認真學習，加深理解，提高認識。只有認識到位了，思想上才能高度重視，才能做到組織到位，工作到位，落實到位。
二是要帶頭學習，帶頭解放思想，努力提高自身理論水平和素質能力。活動辦公室的工作人員是學習實踐活動的組織者、推進者，必須發揮好帶頭和引領作用。因此，希望大家一定要先學一步，要認真學習省委、省國資委黨委和集團公司黨委的實施方案、領導講話，學習好規定的必讀文件、必讀書目，切實把握科學發展觀的科學內涵、精神實質和根本要求。同時要帶頭解放思想，圍繞“如何化危為機，落實‘兩保兩促’”，結合本單位實際，排查最突出的思想瓶頸和實際問題，就本單位的科學發展形成新的共識。
二、要認真履行職責，加強溝通協調，努力提高學習實踐活動的質量和水平。
一是要盡快召開辦公室及各組人員會議。學習集團公司黨委14號文件的職責界定，組內搞好分工，建立必要的工作制度，規范工作流程，確保活動有序推進。要把握活動辦公室三個組和指導檢查組的職責重點：組織組重點是抓好活動計劃的策劃、安排；宣傳組重點是做好輿論宣傳、信息報送、典型的發現、培養和推廣；綜合組重點是做好重要材料的撰寫；指導檢查組主要是督導、指導和檢查。
二是要建立必要的工作制度和工作程序。主要包括文件辦理程序、信息報送程序、碰頭例會制度，以及活動經費領用程序等等，真正做到活動中的工作事事有人抓，人人知道干什么，如何干，干到什么程度，工作的各個環節如何銜接，不留“死角”和“空擋”，確保活動有序推進。
三是要加強溝通協調。這次學習實踐活動持續時間長、環節多、要求高，在把各組職責明確、責任落實好的同時，加強各方面的溝通協調，統籌安排非常重要。一要加強活動辦公室內部三個組之間的協調；二要加強活動辦公室及三個組與集團公司活動辦公室及三個組之間的對口聯系及協調；三要加強活動辦公室與礦黨政領導之間的溝通協調。還有就是活動中的一些重要事項、政策規定的溝通，要統一口徑，統一行動。通過把上下左右都溝通好，各方面關系協調好，整個學習實踐活動才能有序順暢向前推進。
三、要把握關鍵，突出重點，確保學習實踐活動取得實效。
這次活動分為三個階段六個環節，持續六個月左右。根據省委、省國資委黨委的要求，集團公司黨委對學習實踐活動安排部署的非常周密、非常貼近實際、非常注重實效，具有鮮明的徐礦特色。如：活動的主題確定為：落實“兩保兩促”，振興能源基地；要堅持解放思想，堅持實踐效果第一，職工廣泛參與，正面教育為主四個原則；要按照“黨員干部受教育，科學發展上水平，職工群眾得實惠”的三個總體要求，達到“提高思想認識，解決突出問題，創新體制機制，促進科學發展”的四個目標；要重點圍繞“如何化危為機，落實兩保兩促”開展解放思想討論；明確提出在7個方面重點查擺和解決問題；開展以落實“兩保兩促”為主要內容的主題實踐活動，重點在6個方面體現實踐特色。以上六個方面的要求，都需要認真學習，加深理解，真正落實和體現到活動中去，貫徹活動的始終。就活動重點的把握，強調四點：
一是把握參加活動的重點對象是：黨員領導干部和領導機關。礦處級領導班子和黨員領導干部要作為活動的重點對象來重點抓。不能搞大“ 忽隆”，要分類指導。工人黨員要按照計劃，通過黨員活動、輔導報告等形式組織好集中學習，同時安排好自學，適當開展一些討論，過一次專題組織生活會，重在提高認識不需要額外加碼，不要占用過多的工作和休息時間。不再另發活動筆記本，也未作筆記字數要求，但要用黨員學習記錄本留有學習痕跡。對離退休黨員有條件的開會傳達精神，發書自學，組織征求一下意見和建議。對黨員領導干部，要嚴格標準，嚴格要求，保證質量。
二是要把“堅持實踐效果第一”的原則放在重中之重。所謂堅持實踐效果第一，就是要認真落實“兩保兩促”的目標任務，根據本單位特點和實際情況，提出保增長、促轉型、保安全、促和諧的奮斗目標、興辦的實事、保障措施，狠抓落實兌現，確保見實效。活動要力戒形式主義，多求實效。
三是要高度重視先進典型的發現、培養、選樹和推廣。典型的示范和引領作用十分重要，某種程度上也是組織開展活動水平和成效的標志。集團公司初步確定了10家單位作為擬培養選樹的典型，希望各單位高度重視這項工作，積極培養發現典型，主動爭當典型，切實把亮點、閃光點都挖掘出來，把自身的特色和水平體現出來，把好經驗好做法總結推廣出來，使我們的活動既扎扎實實，又有聲有色。
四是要把黨員領導干部調查研究放在重要位置。調查研究是第一階段的重要環節之一。調研的成果要轉化為解決突出問題的政策規定，成為學習實踐活動的成果。每一位領導班子成員都要確定一個課題，進行調研，重點研究本單位本部門落實“兩保兩促”的瓶頸和突出問題，分析原因，提出對策建議，在廣泛征求各方面意見和建議后，領導班子要研究出臺相應的政策規定性文件加以解決。希望各單位活動辦公室的同志，盡快督促、幫助領導班子提出調研課題，做好調研工作。
四、要樹立良好作風，確保學習實踐活動健康有序推進。
良好的作風是做好一切工作的保證。希望大家一定要以好的作風來組織開展學習實踐活動，把組織開展活動的過程作為改進作風的過程。
一是要積極主動。要增強責任意識，按照職責和分工，把各階段各項工作抓好抓實。要做好份內事，關心份外事，發現問題，及時提出，及時補位，以積極主動的態度和行動來保證活動的順暢進行。
二是要認真細致。要發揚精益求精的精神，對于規定動作要認真抓落實抓兌現，確保不缺項漏項，質量不高的要整改，漏項的要補課。另外，自身工作要仔細，不出差錯，保證質量。
半導體的發展范文第4篇
盜傳必究
案例分析
案例一
一、案例材料
小明上小學二年級，是一個搗蛋鬼。上課時坐立不安，小動作不停，不是東張西望，就是擺弄鉛筆和橡皮，或者找同學講悄悄話，下課總是容易和同學發生矛盾。他說自己老是分不清楚b、d，覺得語文、數學、英語太難了不喜歡上，而在美術、自然常識等課程上表現卻特別積極，常常老師問題還沒說完，他就站起來脫口而出。回到家，小明也是一個麻煩人物，做事有頭沒尾，沒有興趣愛好；他喝水時也沒看看杯子里的水是涼是燙，拿起來就喝，結果被燙了，就發脾氣、大哭大鬧，媽媽怎么哄也沒辦法。
在家訪中，你了解到小明的父母在日常生活中針對小明的問題，采取了以下輔導對策：
對小明嚴厲要求，對其多動、沖動等行為即時制止，同時制定了學習、生活的多項細則，要求小明遵守。
為了改善其活動過多，注意困難等問題，給小明報名參加了書法和圍棋班。
訂立嚴格的作息制度，保證小明休息、學習和玩耍時間的規律。
對小明表現的良好行為，即時給予物質獎勵。
限制小明糖的攝入量。
每天提供給小明喜歡吃的水果和蔬菜，尤其是蘋果、西紅柿等。
二、綜合檢驗
題目1
1.【單選題】通過描述，小明存在的主要發展問題是（
）。
選擇一項：
A.
自控問題
B.
多動癥
C.
攻擊性行為
D.
課堂搗蛋行為
題目2
2.【多選題】家長的輔導對策中，正確的有（
）。
選擇一項或多項：
A.
對小明嚴厲要求，對其多動、沖動等行為即時制止，同時制定了學習、生活的多項細則，要求小明遵守。
B.
為了改善其活動過多，注意困難等問題，給小明報名參加了書法和圍棋班。
C.
訂立嚴格的作息制度，保證小明休息、學習和玩耍時間的規律。
D.
對小明表現的良好行為，即時給予物質獎勵。
E.
限制小明糖的攝入量
F.
每天提供給小明喜歡吃的水果和蔬菜，尤其是蘋果、西紅柿等。
題目3
3.【多選題】家長的輔導對策中，不妥當的有（
）。
選擇一項或多項：
A.
對小明嚴厲要求，對其多動、沖動等行為即時制止，同時制定了學習、生活的多項細則，要求小明遵守。
B.
為了改善其活動過多，注意困難等問題，給小明報名參加了書法和圍棋班。
C.
訂立嚴格的作息制度，保證小明休息、學習和玩耍時間的規律。
D.
對小明表現的良好行為，即時給予物質獎勵。
E.
限制小明糖的攝入量。
F.
每天提供給小明喜歡吃的水果和蔬菜，尤其是蘋果、西紅柿等。
題目4
4.【多選題】為了改善活動過多，對過多的精力給予引導，可以建議家長為小明提供的活動有（
）。
選擇一項或多項：
A.
樂器類
B.
體力勞動
C.
打球、登山等運動
D.
瑜伽
題目5
5.【多選題】從案例中看了，除了多動癥的問題，小明還伴隨的發展問題有（
）。
選擇一項或多項：
A.
課堂搗蛋行為
B.
學習困難
C.
易沖動急躁
半導體的發展范文第5篇
Abhi TalWalkar：
Abhi Talwalkar是LSI公司的總裁兼首席執行官。Talwalkar加入LSI公司之前是英特爾副總裁兼數字企業事業部的聯合總經理，該集團涵蓋了英特爾的商用客戶、服務器、存儲和通信業務。之前，他還擔任過Intel副總裁兼企業平臺事業部總經理。在1993年加入Intel之前，Talwalkar在Sequent計算機公司（現為IBM一部分）、Bipolar集成技術公司和Lattice半導體公司擔任過高級工程師和市場管理職務。
小小的半導體不僅蘊含著巨大商機，還將在各個領域改變并改善人們的生活。全球半導體行業在2008年將繼續發力“上揚”，引爆全球產業大商機。
2007年是貝爾實驗室發明晶體管60周年。晶體管與半導體芯片使我們的工作和生活方式發生了巨大變化，而當前半導體產業本身也正在發生著巨變。該行業的市場領域已經或正在形成以幾家公司為核心的陣營，而其它領域也迫切需要整合成一種更高一致性、更可持續發展的結構，并要求我們從全新的角度來思考它是如何為客戶創造價值的。半導體公司應加速做好長遠規劃，放眼于芯片之外更長遠的發展。
半導體產業的巨變對消費者和硅谷都有著巨大影響。對消費者來說，半導體產業整合不僅可加快創新步伐，而且還能顯著加速產品（或技術）的上市進程。對于圣何塞地區的硅谷而言，半導體產業整合將推進新的技術革命，并帶動硅谷產業的不斷創新。
當前半導體產業市值高達2500億美元，從業公司約450家。但其產業結構不一，缺乏競爭，有的市場領域甚至尚未開發，從而形成了一種“溫室環境”。最早推動半導體產業發展的是美國政府，現在則是由消費者需求推動其發展。隨著推動因素的變化和競爭的日益加劇，半導體產業的周期波折特性已有所遏制。但是，這種穩定性的代價則是使該產業的年銷售增長率從歷史最高紀錄的15%～20%降至目前的7%～10%。
與此同時，在摩爾定律的推動下，該產業的集成度不斷提高，市場的進入門檻也不斷提升。有人估算，初創半導體公司的前期投入已從10～15年前的1,000萬美元增長到了目前的5,000 萬美元。要想讓這樣大規模的投資實現5倍乃至10倍的收益，半導體公司要開創的市場規模怎么也要達到10億美元。目前，這樣大規模市值的市場早就擠滿了各種規模的競爭公司。
此外，新技術工藝不斷加速發展。目前的設計周期為18個月。新的芯片制造廠的造價為30億美元，在此情況下，能承擔自身制造芯片成本的半導體公司越來越少。而且，在今后 15 年間，隨著半導體技術接近“紅磚墻”（互補對稱金屬氧化物半導體技術的極限），制造成本必將上升。
針對上述問題，半導體公司如何應對？首先，半導體公司應該力爭領先以免慘遭淘汰，應致力于自身能保持領先地位的市場領域；其次，半導體公司應通過合并與收購等方式擴大規模，大型設備制造商越來越關心小型半導體公司的產能與資歷；再次，半導體公司應放眼芯片之外，沿產業價值鏈上溯而行，推出固件、系統設計乃至部分系統軟件。
從很大程度上說，這種從芯片到系統再到軟件的商業模式是最難實現的，也是半導體公司必須采取的轉型措施。半導體公司通常與產品的最終用戶隔著兩個甚至三個層面的市場，因此難以預見最終用戶的需求。不過，各級設備制造商加強聯系，將軟件與集成問題捆綁起來，采取系統性的方法來加強合作，這樣半導體公司就能貼近最終用戶，并為設備制造商提供他們所需的創新型產品，并進一步加強彼此間的合作。
放眼芯片之外，還要求以新的方式方法處理與其它半導體公司之間的關系。在全新的環境下，競爭對手、客戶以及供應商之間的界限往往是模糊的。成功的半導體公司有時必須與其它公司在某個市場領域加強合作，同時又在其它市場領域上與其展開競爭。
但不可否認，中國將是半導體產業中重要的一環。
雖然，2006年下半年到2007年里，全球半導體行業“出現了一些疲軟現象”。但如果從歷史經驗判斷，2008年的全球半導體市場仍將出現良性增長趨勢。這意味著2008年半導體行業將恢復元氣，并出現加速增長。
