電子元件
前言：想要寫出一篇令人眼前一亮的文章嗎？我們特意為您整理了5篇電子元件范文，相信會為您的寫作帶來幫助，發現更多的寫作思路和靈感。
電子元件范文第1篇
[實驗目的]
1.學習常用電磁學儀器儀表的正確使用及簡單電路的聯接。
2.掌握用伏安法測量電阻的基本方法及其誤差的分析。
3.測定線性電阻和非線性電阻的伏安特性。
[實驗原理]
測量電阻的方法有多種，伏安法是常用的基本方法之一。所謂伏安法，就是運用歐姆定律，測出電阻兩端的電壓和其上通過的電流，根據即可求得阻值R。也可運用作圖法，做出伏安特性曲線，從曲線上求得電阻的阻值。對有些電阻，其伏安特性曲線為直線，稱為線性電阻，如常用的碳膜電阻、線繞電阻、金屬膜電阻等。另外，有些元件，伏安特性曲線為曲線，稱為非線性電阻元件，如燈泡、晶體二極管、穩壓管、熱敏電阻等。非線性電阻元件的阻值是不確定的，只有通過作圖法才能反映它的特性。
用伏安法測電阻，原理簡單，測量方便，但由于電表內阻接入的影響，給測量帶來一定系統誤差，如圖1和圖2，分別為電流表內接和電流表外接兩種電路。在電流表內接法中，由于電壓表測出的電壓值V包括了電流表兩端的電壓，因此，測量值要大于被測電阻的實際值。由
可見，由于電流表內阻不可忽略，故產生一定誤差。
在電流表外接法中，由于電流表測出的電流I包括了流過電壓表的電流，因此，測量值要小于實際值。由可見，由于電壓表內阻不是無窮大，故給測量帶來一定的誤差。
上述兩種聯接電路的方法，都給測量帶來一定的系統誤差，即測量方法誤差。為此，必須對測量結果進行修正。其修正值為ΔRx=Rx-R，其中R為測量值，Rx為實際值。
為了減小上述誤差，必須根據待測阻值的大小和電表內阻的不同，正確選擇測量電路。當Rx>>RmA且RxRmA且Rx
一般安培表內阻在0.1 W以下，毫安表為幾歐姆至一、二百歐姆，微安表為幾百歐姆至一、二千歐姆。
對同一塊電壓表，各量程的電阻與相應量程之比為一常量，定義為電壓表的每伏歐姆數，常在電壓表標度盤上標明，單位為W/V。因而，RV =每伏歐姆數?量程。
經過以上處理，可以減小和消除由于電表接入帶來的系統誤差，但電表本身的儀器誤差仍然存在，它決定于電表的準確度等級和量程，其相對誤差為，式中DI和DV為電流表和電壓表允許的最大示值誤差。
以上的內容書上都有，我就不解釋了。下面重點說一下非線性的電子元件的伏安特性曲線的繪制：
首先要想繪制非線性的電子元件的伏案特性曲線就必須要了解各非線性元件的特性，才能選擇正確的實驗方法，適合的監測電路，得出正確的實驗結論。常用的非線性元件有：檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、發光二極管和光電二極管等。
1.檢波和整流二極管
檢波二極管和整流二極管都具有單向導電作用，他們的差別在于允許通過電流的大小和使用頻率范圍的高低。
2.穩壓二極管
穩壓二極管的特點是反向擊穿具有可逆性，反向擊穿后，穩壓二極管兩端的電壓保持恒定，這個電壓叫穩壓二極管的工作電壓。
3.發光二極管
發光二極管是由半導體發光材料制成的，與材料的禁帶寬度所對應的電壓叫發光二極管的開啟電壓。當加在發光二極管兩端的電壓小于開啟電壓時，發光二極管不會發光，其中也沒有電流流過。電壓一旦超過開啟電壓，電流急劇上升，二極管處于導通狀態并發光，此時電流與電壓呈線性關系，直線與電壓坐標的交點可以認為是開啟電壓。
4.光電二極管
光電二極管除了具有一般二極管的特性外，它的PN結裝在管子的頂部，可以直接接收光照。無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管相似；在光照下，構成光電二極管的PN結能產生電動勢，稱為光生伏特效應。與普通二極管不同，光電二極管通常工作在反向偏置電壓狀態或無偏壓狀態。它的伏安特性可用下式表示
（ 2 ）
其中I0是無光照的反向飽和電流，U是二極管的端電壓，e為電子電荷，KB為波爾茲曼常數，T是絕對溫度，n是理想系數，IL是無偏壓狀態下光照時的短路電流，它與光照時的光功率成正比。其伏安特性曲線如圖三所示，E0～E5表示不同入射光光強。由此可知，光電二極管的伏安特性曲線由二個部分組成：
（1）反偏工作狀態，光電流與偏壓、負載電阻幾乎無關（在很大的動態范圍內）；
電子元件范文第2篇
元件104電容的大小是100納法；
電容指的是在給定電位差下的電荷儲藏量，記為C，國際單位是法拉，一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，最常見的例子就是兩片平行金屬板，電容也是電容器的俗稱。
（來源：文章屋網 ）
電子元件范文第3篇
不論預期與現實有多大的差距，于2012年9月上市的iPhone 5的確又一次引領了全球智能終端產品的消費熱潮。蘋果的產品向來不以硬件為圭臬，但專業機構對其硬件的分析卻始終樂此不疲。在眾多分析文章中，iPhone 5所包含的5顆石英晶體元件往往被忽視，而其中的兩顆音叉晶振，更是不為人所知。
簡單地說，晶振是石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器的統稱，而音叉晶振是指石英晶片外形類似音叉的晶振。實際上，絕大多數涉及數據交換的電子產品都需要晶振元件為其提供時鐘頻率，否則便無法啟動或者有效工作。由此可見晶振尤其是音叉晶振是電子產品中十分重要的元件。2011年全球音叉晶振產量約100億只，產值約15億美元。同年，中國音叉晶振產量約40億只，產量約占全球40%，產值約30億元，產值約占全球總產值30%。
音叉晶振應用領域包括鐘表及表芯、手機、平板電腦、消費電子、微型計算機等。目前，中國音叉晶振下游應用市場呈現快速增長的勢頭，帶動音叉晶振需求增長。2011年，中國鐘表及表芯產量16.4億只，使用了16.4億只音叉晶振，這是音叉晶振的主要應用領域之一；中國手機全年產量11.3億部，至少增加了11.3億顆音叉晶振需求，對音叉晶振行業帶動較大；消費電子和微型計算機產業也是音叉晶振的主要應用市場。2011年中國消費電子產量達到16.6億臺，微型計算機產量為3.2億臺，這兩個領域對音叉晶振的需求約20億只。
隨著技術的進步以及市場應用的變化，音叉晶振呈現小型化、高精度、低功耗的發展趨勢。
首先，音叉晶振向小型化、薄片化和片式化發展的趨勢越來越明顯。近幾年，晶振下游應用終端出現向小型化、輕薄化發展的趨勢。作為電子產品的重要元件，晶振也必須向小型化、薄片化和片式化發展。例如，iPhone 5厚度僅為7.6mm，其使用的兩顆音叉晶振是高度小型化、薄片化和片式化的高品質產品。在過去的20年中，晶振產品體積從約150立方厘米縮小到約1.5立方厘米，急劇下降到最初的1/100，小型化在不斷進展。
其次，音叉晶振向更高精度與更高穩定度方向發展。晶振的小型化、薄片化和片式化發展趨勢，為提高其精度和穩定度提出了更大挑戰。從市場應用角度看，晶振為電子產品提供穩定的時鐘頻率，其精度和穩定度對下游產品的質量、性能以及后期維護成本具有至關重要的影響。此外，晶振成本只是下游產品總成本中極其微小的一部分，對下游產品價格影響甚微，所以品質較高的晶振產品更受下游企業歡迎。
電子元件范文第4篇
1引言
在電路仿真中,電子器件的建模方法主要有物理模型法、宏模型法和神經網絡法[1-2].所謂物理模型,就是根據電子器件的物理特性建立模型,但由于器件的參數只有通過生產器件的廠家才能獲得,因此普通用戶一般不采用此方法建模.宏模型是電路子系統的等效電路,以端點變量對原電路進行精確的描述.電路仿真標準軟件PSpice中提供了多項式法、函數法和查表法等用于構造電路的宏模型,但多項式法和函數法都要求器件特性可以用多項式或函數來表達,而大多數電器件特性是不能寫出表達式的;查表法則需要大量數據才能保證模型的精度.神經網絡用于電子器件建模是近幾年提出的新方法,已經用于隧道二極管[3]和傳感器建模[4],但目前主要應用于具有簡單非線性、可用單神經網絡逼近的器件建模.本文針對具有復雜非線性的電子器件建模,提出了分段建模的方法,并應用于建立穩壓二極管的電路仿真模型.
2單神經網絡用于穩壓二極管特性逼近
神經網絡用于器件建模一般分為3個過程:a.獲取被建模元件的輸入輸出數據,并作為神經網絡的輸入輸出矢量;b.利用上述輸入輸出矢量對神經網絡進行訓練,按期望精度獲得網絡的權值和閾值;c.在Pspice中建立單個神經元和神經網絡的模型.選取1N4732A穩壓二極管作為研究對象,其伏安特性數據如（表略）對數據歸一化處理后,選取具有單隱層的BP神經網絡進行特性逼近,結果當隱層神經元個數為65個時,才達到精度要求.由于隱層神經元個數多,所建器件模型過于復雜,會造成仿真過程時間長甚至不收斂等現象.因此,采用單個神經網絡無法建立滿意的1N4732A穩壓二極管模型.
3穩壓二極管模型的分段建模實現
根據1N4732A的電壓電流特性,將其分為正向特性曲線部分和反向特性曲線部分,并分別采用BP神經網絡進行逼近.正向和反向訓練結果分別（圖略）為了適應神經網絡訓練,在反向特性訓練前,先將電流值取反,在PSpice描述時再將電流取反即可.訓練結果表明,對正向特性的逼近所需要的神經網絡隱層神經元個數為4個,對反向特性的逼近所需要的神經網絡隱層神經元個數為5個,作用函數均采用S型函數.將正向特性神經網絡和反向特性神經網絡分別在PSpice中進行描述[2-3],并采用如圖3所示結構形成子電路,即完成建模過程.圖中,SW1和SW2為電壓控制開關,E1和E2為電壓控制電壓源,受節點1和2之間的電壓控制;G(V5+V8)為電壓控制電流源,其電流受節點5和8電壓之和的控制.通過對SW1和SW2導通和關斷電壓的控制可以完成特性曲線的切換.為驗證模型的有效性,在PSpice中,對該模型加一直流掃描電壓,其伏安特性曲線如圖4所示,符合精度要求.
電子元件范文第5篇
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